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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BUF636A |
| 英文描述： | Silicon NPN High Voltage Switching Transistor |
| 中文描述： | 硅npn型高壓開(kāi)關(guān)晶體管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/8頁(yè) |
| 文件大小： | 126K |
| 代理商： | BUF636A |
BUF636A
TELEFUNKEN Semiconductors
Rev. A2, 26-Sep-97
6 (8)
95 10517
–I
B2
/I
B1
t
0
2
4
6
8
10
0
2
4
6
8
10
s
saturated switching
R–load
I
C
= 0.8A, I
B1
= 0.1A
T
case
= 125
°
C
25
°
C
Figure 10. t
s
vs. –I
B2
/I
B1
95 10515
0
0.8
1.6
2.4
3.2
4.0
–I
B2
/I
B1
t
s
0
2
4
6
8
10
saturated switching
R–load
I
C
= 0.8A, I
B1
= 0.2A
T
case
= 125
°
C
25
°
C
Figure 11. t
s
vs. –I
B2
/I
B1
95 10516
–I
B2
/I
B1
0
2
4
6
8
10
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
t
f
saturated switching
R–load
I
C
= 0.8A, I
B1
= 0.1A
T
case
= 125
°
C
25
°
C
Figure 12. t
f
vs. –I
B2
/I
B1
95 10514
0
0.8
1.6
2.4
3.2
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
4.0
t
f
–I
B2
/I
B1
saturated switching
R–load
I
C
= 0.8A, I
B1
= 0.2A
T
case
= 125
°
C
25
°
C
Figure 13. t
f
vs. –I
B2
/I
B1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| BUF642 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 6A I(C) | TO-220AB |
| BUF646 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-220AB |
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參數(shù)描述 |
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| BUF640A | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 450V V(BR)CEO | 6A I(C) | TO-220AB |
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| BUF646 | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-220AB |
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