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參數(shù)資料
| 型號： | BUD42D-1 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 350V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-251AA |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 350V五（巴西）總裁| 4A條一（c）|至251AA |
| 文件頁數(shù)： | 8/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 197K |
| 代理商： | BUD42D-1 |
BUD42D
http://onsemi.com
8
TYPICAL SWITCHING CHARACTERISTICS
Table 1. Inductive Load Switching Drive Circuit
V
(BR)CEO(sus)
L = 10 mH
R
B2
=
∞
V
CC
= 20 Volts
I
C(pk)
= 100 mA
Inductive Switching
L = 200
μ
H
R
B2
= 0
V
CC
= 15 Volts
R
B1
selected for
desired I
B1
RBSOA
L = 500
μ
H
R
B2
= 0
V
CC
= 15 Volts
R
B1
selected for
desired I
B1
+15 V
1
μ
F
150
3 W
100
3 W
MPF930
+10 V
50
COMMON
-V
off
500
μ
F
MPF930
MTP8P10
MUR105
MJE210
MTP12N10
MTP8P10
150
3 W
100
μ
F
I
out
A
R
B1
R
B2
1
μ
F
I
C
PEAK
V
CE
V
CE
I
B
I
B1
I
B2
Figure 27. t
fr
Measurement
I
F
10% I
F
V
FRM
0.1 V
F
t
fr
V
FR
(1.1 V
F
) UNLESS
OTHERWISE SPECIFIED
VF
Figure 28. Forward Bias Safe Operating Area
10
0.01
1000
100
10
V
CE
, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 29. Reverse Bias Safe Operating Area
5
3
0
700
500
400
300
V
CE
, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
T
J
= 125
°
C
GAIN
≥
4
L
C
= 500 H
I
C
600
1
0.1
4
2
1
,
10 s
1 s
1 ms
5 ms
dc
I
C
V
BE
= 0 V
V
BE(off)
= -1.5 V
V
BE(off)
= -5 V
E
MAXIMUM RATINGS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BUD43B1 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 350V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-251 |
| BUD43BK | TRANSISTOR | BJT | NPN | 350V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-251AA |
| BUD43BW | TRANSISTOR | BJT | NPN | 350V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-252AA |
| BUD43D2-1 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-251AA |
| BUD44D2-1 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-251 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BUD42D-1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 4A 650V 25W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BUD42DG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 4A 650V 25W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BUD42DT4 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 4A 650V 25W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BUD42DT4G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 4A 650V 25W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BUD43B | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
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