參數(shù)資料
型號(hào)： BUD42D-1
英文描述： TRANSISTOR | BJT | NPN | 350V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-251AA
中文描述： 晶體管|晶體管|叩| 350V五（巴西）總裁| 4A條一（c）|至251AA
文件頁(yè)數(shù)： 5/12頁(yè)
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代理商： BUD42D-1
BUD42D
http://onsemi.com
5
TYPICAL SWITCHING CHARACTERISTICS
Figure 11. Capacitance
1000
10
1
100
10
1
V
R
, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 12. B
VCER
= f(R
BE
)
900
500
300
10000
100
10
R
BE
( )
C
1000
B
800
600
400
100
C
ib
C
ob
T
J
= 25
°
C
f
(test)
= 1 MHz
Figure 13. Resistive Switching, t
on
800
300
0
2
1
0
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 14. Resistive Switching, t
off
9
3
0
2
0.5
0
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
1.5
6
400
t
t
500
200
100
T
J
= 125
°
C
T
J
= 25
°
C
h
FE
= 5
I
Bon
= I
Boff
V
CC
= 300 V
P
W
= 40
μ
s
1
T
J
= 125
°
C
T
J
= 25
°
C
I
Bon
= I
Boff
V
CC
= 300 V
P
W
= 40
μ
s
Figure 15. Inductive Storage Time,
t
si
@ h
FE
= 5
4
0
0
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 16. Inductive Storage Time,
t
si
@ h
FE
= 10
4
2
2
1
0.5
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
1.5
3
1
3
2
t
μ
1
I
Bon
= I
Boff
V
CE
= 15 V
V
Z
= 300 V
L
C
= 200
μ
H
700
600
700
T
C
= 25
°
C
(
V
0.5
1.5
h
FE
= 10
0.5
1
1.5
2
T
J
= 25
°
C
T
J
= 125
°
C
I
Bon
= I
Boff
V
CE
= 15 V
V
Z
= 300 V
L
C
= 200
μ
H
T
J
= 25
°
C
T
J
= 125
°
C
I
CER
= 10 mA
I
CER
= 100 mA
l
C
= 25 mH
h
FE
= 5
h
FE
= 10
t
μ
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUD43B1 TRANSISTOR | BJT | NPN | 350V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-251
BUD43BK TRANSISTOR | BJT | NPN | 350V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-251AA
BUD43BW TRANSISTOR | BJT | NPN | 350V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-252AA
BUD43D2-1 TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-251AA
BUD44D2-1 TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-251
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BUD42D-1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 4A 650V 25W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUD42DG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 4A 650V 25W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUD42DT4 功能描述:兩極晶體管 - BJT 4A 650V 25W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUD42DT4G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 4A 650V 25W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUD43B 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
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