- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄369558 > BUD42D-1 TRANSISTOR | BJT | NPN | 350V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-251AA PDF資料下載
參數資料
| 型號： | BUD42D-1 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 350V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-251AA |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 350V五（巴西）總裁| 4A條一（c）|至251AA |
| 文件頁數： | 3/12頁 |
| 文件大小： | 197K |
| 代理商： | BUD42D-1 |
BUD42D
http://onsemi.com
3
TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS
Figure 1. DC Current Gain @ V
CE
= 1 V
100
10
1
10
1
0.1
0.01
0.001
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
h
T
J
= 125
°
C
T
J
= 25
°
C
T
J
= -20
°
C
Figure 2. DC Current Gain @ V
CE
= 5 V
100
10
1
10
1
0.1
0.01
0.001
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
h
Figure 3. Collector Saturation Region
3
2
0
10
0.1
0.01
0.001
I
B
, BASE CURRENT (AMPS)
I
C
= 0.2 A
Figure 4. Collector–Emitter Saturation Voltage
10
1
0.01
10
1
0.1
0.01
0.001
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
T
J
= 125
°
C
T
J
= 25
°
C
T
J
= -20
°
C
I
C
/I
B
= 5
V
V
1
T
J
= 25
°
C
1 A
1.5 A
2 A
Figure 5. Collector–Emitter Saturation Voltage
100
1
0.01
10
0.1
0.01
0.001
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 6. Collector–Emitter Saturation Voltage
10
1
0.01
10
0.1
0.01
0.001
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
T
J
= 125
°
C
T
J
= 25
°
C
T
J
= -20
°
C
V
V
1
I
C
/I
B
= 8
T
J
= 125
°
C
T
J
= 25
°
C
T
J
= -20
°
C
I
C
/I
B
= 10
0.4 A
T
J
= 125
°
C
T
J
= 25
°
C
T
J
= -20
°
C
1
0.1
0.1
1
0.1
10
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BUD43B1 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 350V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-251 |
| BUD43BK | TRANSISTOR | BJT | NPN | 350V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-251AA |
| BUD43BW | TRANSISTOR | BJT | NPN | 350V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-252AA |
| BUD43D2-1 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-251AA |
| BUD44D2-1 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-251 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BUD42D-1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 4A 650V 25W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BUD42DG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 4A 650V 25W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BUD42DT4 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 4A 650V 25W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BUD42DT4G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 4A 650V 25W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BUD43B | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。