參數(shù)資料
型號(hào)： BUD42D-1
英文描述： TRANSISTOR | BJT | NPN | 350V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-251AA
中文描述： 晶體管|晶體管|叩| 350V五（巴西）總裁| 4A條一（c）|至251AA
文件頁(yè)數(shù)： 2/12頁(yè)
文件大?。?/td> 197K
代理商： BUD42D-1
BUD42D
http://onsemi.com
2
C
DYNAMIC SATURATION VOLTAGE
@ 1
μ
s
@ T
C
= 25
°
C
Voltage:
3
μ
s respectively after
rising I
B1
reaches
V
= 300 V
C
(I
C
= 100 mA, L = 25 mH)
V
CEO(sus)
350
430
780
–
–
Collector–Base Breakdown Voltage
(I
CBO
= 1 mA)
650
Vdc
Emitter–Base Breakdown Voltage
–
V
EBO
–
200
(V
= Rated V
, I
= 0)
@ T
= 125
°
C
@ T
C
= 125
°
C
C
CEO
200
–
(V
CE
= Rated V
CES
, V
EB
= 0)
–
EB
C
Emitter–Cutoff Current
I
EBO
μ
(I
C
= 1 Adc, I
B
= 0.2 Adc)
Collector–Emitter Saturation Voltage
(I
C
= 2 Adc, I
B
= 0.5 Adc)
(I
= 1 Adc, V
= 2 Vdc)
(I
C
= 2 Adc, V
CE
= 5 Vdc)
DIODE CHARACTERISTICS
V
V
0.2
8.0
10
1.0
–
–
–
Vdc
FE
13
12
–
Forward Diode Voltage
V
EC
V
(I
C
= 1.2 Adc, I
B1
= 0.4 A, I
B2
= 0.1 A, V
CC
= 300 V)
Fall Time
C
B1
B2
CC
BE
T
4.6
–
6.55
μ
s
I
B1
= 40 mA
CC
@ T
= 125
°
C
@ 3
μ
C
@ T
C
= 125
°
C
V
CE(dsat)
–
1.3
2.8
–
–
V
–
I
C
= 1 A
@ T
C
= 25
°
C
–
4.7
–
@ 3
μ
s
–
0.35
–
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUD43B1 TRANSISTOR | BJT | NPN | 350V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-251
BUD43BK TRANSISTOR | BJT | NPN | 350V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-251AA
BUD43BW TRANSISTOR | BJT | NPN | 350V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-252AA
BUD43D2-1 TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-251AA
BUD44D2-1 TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-251
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BUD42D-1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 4A 650V 25W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUD42DG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 4A 650V 25W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUD42DT4 功能描述:兩極晶體管 - BJT 4A 650V 25W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUD42DT4G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 4A 650V 25W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUD43B 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
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