參數(shù)資料
型號(hào)： BT168B
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 晶閘管
英文描述： Thyristors logic level for RCD/ GFI/ LCCB applications(應(yīng)用于RCD/ GFI/ LCCB的可控硅邏輯電平)
中文描述： 0.8 A, 200 V, SCR, TO-92
封裝： PLASTIC, TO-92 VARIANT, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 43K
代理商： BT168B
Philips Semiconductors
Product specification
Thyristors
logic level for RCD/ GFI/ LCCB Applications
BT168 series
Fig.7. Normalised gate trigger current
I
GT
(T
j
)/ I
GT
(25C), versus junction temperature T
j
.
Fig.8. Normalised latching current I
L
(T
)/ I
(25C),
versus junction temperature T
j
, R
GK
= 1 k
.
Fig.9. Normalised holding current I
H
(T
)/ I
(25C),
versus junction temperature T
j
, R
GK
= 1 k
.
Fig.10. Typical and maximum on-state characteristic.
Fig.11. Transient thermal impedance Z
th j-lead
, versus
pulse width t
p
.
Fig.12. Typical, critical rate of rise of off-state voltage,
dV
D
/dt versus junction temperature T
j
.
-50
0
50
100
150
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
BT169
IGT(Tj)
IGT(25 C)
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0
1
2
3
4
5
typ
BT169
VT / V
IT / A
Tj = 125 C
Tj = 25 C
max
Vo = 1.067 V
Rs = 0.187 ohms
-50
0
50
Tj / C
100
150
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
BT169
IL(Tj)
IL(25 C)
10us
0.1ms
1ms
10ms
tp / s
0.1s
1s
10s
0.01
0.1
1
10
Zth j-lead (K/W)
100
tp
P
D
t
BT169
-50
0
50
100
150
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
BT169
Tj / C
IH(Tj)
IH(25 C)
0
50
100
150
1
10
100
1000
Tj / C
dVD/dt (V/us)
RGK = 1 kohms
September 1997
4
Rev 1.100
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PDF描述
BT168_SERIES Thyristors logic level for RCD/GFI/LCCB applications
BT168SERIES Thyristors logic level for RCD/ GFI/ LCCB applications
BT168D Thyristors logic level for RCD/ GFI/ LCCB applications(應(yīng)用于RCD/ GFI/ LCCB的可控硅邏輯電平)
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參數(shù)描述
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BT168E,112 功能描述:SCR BULK MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
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