參數(shù)資料
型號(hào)： BT168B
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 晶閘管
英文描述： Thyristors logic level for RCD/ GFI/ LCCB applications(應(yīng)用于RCD/ GFI/ LCCB的可控硅邏輯電平)
中文描述： 0.8 A, 200 V, SCR, TO-92
封裝： PLASTIC, TO-92 VARIANT, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/6頁(yè)
文件大?。?/td> 43K
代理商： BT168B
Philips Semiconductors
Product specification
Thyristors
logic level for RCD/ GFI/ LCCB Applications
BT168 series
Fig.1. Maximum on-state dissipation, P
, versus
average on-state current, I
T(AV)
, where
a = form factor = I
T(RMS)
T(AV)
.
Fig.2. Maximum permissible non-repetitive peak
on-state current I
, versus pulse width t
p
, for
sinusoidal currents, t
p
≤
10ms.
Fig.3. Maximum permissible rms current I
T(RMS)
,
versus lead temperature, T
lead
.
Fig.4. Maximum permissible non-repetitive peak
on-state current I
, versus number of cycles, for
sinusoidal currents, f = 50 Hz.
Fig.5. Maximum permissible repetitive rms on-state
current I
T(RMS)
, versus surge duration, for sinusoidal
lead
≤
83C.
Fig.6. Normalised gate trigger voltage
V
GT
(T
j
)/ V
GT
(25C), versus junction temperature T
j
.
0
0.1
0.2
0.3
IF(AV) / A
0.4
0.5
0.6
0.7
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
a = 1.57
1.9
2.2
2.8
4
BT169
Ptot / W
Tc(max) / C
125
119
113
107
101
95
89
83
conduction
30
60
90
120
180
form
a
4
2.8
2.2
1.9
1.57
77
1
10
100
1000
0
2
4
6
8
10
BT169
Number of half cycles at 50Hz
ITSM / A
T
ITSM
time
I
Tj initial = 25 C max
T
1
10
100
1000
BT169
100us
1ms
10ms
T / s
ITSM / A
T
ITSM
time
I
Tj initial = 25 C max
T
0.01
0.1
1
10
0
0.5
1
1.5
2
BT169
surge duration / s
IT(RMS) / A
-50
0
50
100
150
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
BT169
Tlead / C
IT(RMS) / A
83 C
-50
0
50
100
150
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
BT151
Tj / C
VGT(Tj)
VGT(25 C)
September 1997
3
Rev 1.100
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PDF描述
BT168_SERIES Thyristors logic level for RCD/GFI/LCCB applications
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BT168 Film Capacitor; Voltage Rating:600VDC; Capacitor Dielectric Material:Polyester; Capacitance:0.1uF; Capacitance Tolerance:+/- 10%; Lead Pitch:24.613mm; Series:PS; Size:30.48 x 16.51; Termination:Radial Leaded
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BT168E,112 功能描述:SCR BULK MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
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