參數(shù)資料
型號(hào): BST39
廠商: NXP Semiconductors N.V.
元件分類(lèi): 功率晶體管
英文描述: NPN high-voltage transistors
中文描述: NPN高壓型晶體管
封裝: BST39<SOT89 (SOT89)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT89.html<1<week 28, 2003,;
文件頁(yè)數(shù): 4/6頁(yè)
文件大?。?/td> 96K
代理商: BST39
2004 Dec 14
4
NXP Semiconductors
Product data sheet
NPN high-voltage transistors
BST39; BST40
PACKAGE OUTLINE
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
JEITA
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
SOT89
TO-243
SC-62
04-08-03
06-03-16
w
M
e
1
e
E
H
E
B
0
2
4 mm
scale
b
p3
b
p2
b
p1
c
D
L
p
A
Plastic surface-mounted package; collector pad for good heat transfer; 3 leads
SOT89
1
2
3
UNIT
A
mm
1.6
1.4
0.48
0.35
c
0.44
0.23
D
4.6
4.4
E
2.6
2.4
HE
Lp
4.25
3.75
e
3.0
w
0.13
e1
1.5
1.2
0.8
bp2
bp1
0.53
0.40
bp3
1.8
1.4
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PDF描述
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BSV60 Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package
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參數(shù)描述
BST39 T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS HV TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BST39,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS HV TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BST39115 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN 350V 0.1A SOT-89
BST39T/R 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 350V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-89
BST39TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN High Voltage RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2