參數(shù)資料
型號： BST52
廠商： ZETEX PLC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN SILICON PLANAR DARLINGTON TRANSISTOR
中文描述： 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOT-89, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大小： 16K
代理商： BST52
SOT89 NPN SILICON PLANAR
DARLINGTON TRANSISTOR
ISSUE 3 – J ANUARY 1996
FEATURES
*
Fast Switching
*
High h
FE
PARTMAKING DETAIL — AS3
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CM
I
C
I
B
P
tot
T
j
:T
stg
90
V
Collector-Emitter Voltage
80
V
Emitter-Base Voltage
10
V
Pea Pulse Current
1.5
A
Continuous Collector Current
500
mA
Base Current
100
mA
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
1
W
-65 to +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
Collector-Base
Breakdown Voltage
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
Emitter-Base
Breakdown Voltage
Emitter Cut-Off Current
I
EBO
Collector-Emitter
Cut-Off Current
Collector-Emitter
Saturation Voltage
MAX.
UNIT
V
CONDITIONS.
I
C
=10
μ
A, I
E
=0
V
(BR)CBO
90
V
(BR)CEO
80
V
I
C
=10mA, I
B
=0*
V
(BR)EBO
10
V
I
E
=10
μ
A, I
C
=0
10
μ
A
μ
A
V
EB
=8V, I
E
=0
V
CE
=80V, I
C
=0
I
CES
10
V
CE(sat)
1.3
1.3
V
V
I
C
=500mA, I
B
=0.5mA
I
C
=500mA, I
B
=0.5mA
T
j
=150°C
I
C
=500mA, I
B
=0.5mA
Base-Emitter
Saturation Voltage
Static Forward Current
Transfer Ratio
Turn On Time
V
BE(sat)
1.9
V
h
FE
1K
2K
I
C
=150mA, V
CE
=10V*
I
C
=-500mA, V
CE
=-10V*
I
C
=500mA
I
Bon
=I
Boff
=0.5mA
t
on
t
off
400 Typical
ns
Turn Off Time
1.5K Typical
ns
* Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
Spice parameter data is available upon request for this device
For typical characteristics graphs see FMMT614 datasheet.
BST52
C
C
B
E
SOT89
3 - 80
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSV60 Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package
BSV64 Small Signal Transistors
BSX60 Small Signal Transistors
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BST52 /T3 功能描述:達林頓晶體管 TRANS DARLINGTON TAPE-13 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
BST52 T/R 功能描述:達林頓晶體管 TRANS DARLINGTON TAPE-7 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
BST52,115 功能描述:達林頓晶體管 TRANS DARLINGTON RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
BST52,135 功能描述:達林頓晶體管 TRANS DARLINGTON RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
BST52115 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DARLINGTON TRANSISTOR NPN 80V 1A 3-S
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