參數(shù)資料
型號： BSS8402DW-7
廠商： DIODES INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
中文描述： 115 mA, 60 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： PLASTC PACKAGE-6
文件頁數(shù)： 5/5頁
文件大?。?/td> 138K
代理商： BSS8402DW-7
DS30380 Rev. 4 - 2
5 of 5
BSS8402DW
www.diodes.com
Ordering Information
Device
Packaging
SOT-363
Shipping
3000/Tape & Reel
BSS8402DW-7
Notes:
4. For Lead Free version (with Lead Free terminal finish) part number, please add "-F" suffix to part number above.
Example: BSS8402DW-7-F.
Marking Information
相關PDF資料
PDF描述
BSS8402DW COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
BSS84DW DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
BSS84W P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
BST16 PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
BST39 NPN SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
BSS8402DW-7-F 功能描述:MOSFET 60 / -50V 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BSS8402DWQ-7 功能描述:MOSFET N/P-CH 60V/50V 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:60V，50V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:115mA，130mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:13.5 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:200mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應商器件封裝:SOT-363 標準包裝:3,000
BSS8402DWT/R13 制造商:PANJIT 制造商全稱:Pan Jit International Inc. 功能描述:COMPLIMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFETS
BSS8402DWT/R13-R 制造商:PANJIT 制造商全稱:Pan Jit International Inc. 功能描述:COMPLIMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFETS
BSS8402DWT/R7 制造商:PANJIT 制造商全稱:Pan Jit International Inc. 功能描述:COMPLIMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFETS
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