參數(shù)資料
型號： BSS8402DW-7
廠商： DIODES INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
中文描述： 115 mA, 60 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： PLASTC PACKAGE-6
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 138K
代理商： BSS8402DW-7
DS30380 Rev. 4 - 2
3 of 5
BSS8402DW
www.diodes.com
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
1
2
3
4
5
V
,
DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
DS
Fig. 1 On-Region Characteristics
V
= 10V
9.0V
8.0V
7.0V
6.5V
6.0V
5.5V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.0V
2.5V
2.1V
GS
5.5V
10V
5.0V
2.1V
I
D
0
1
2
3
4
5
0
0.2
I , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 2 On-Resistance vs Drain Current
V
= 5.0V
GS
T = 25
°
C
V
= 10V
GS
6
7
0.4
0.6
0.8
1.0
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
-55
-30
-5
20
45
70
95
120
145
T, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
Fig. 3 On-Resistance vs Junction Temperature
V
I = 200mA
= 10V,
GS
0
V
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 4 On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
GS
I = 50mA
I = 500mA
1
2
3
4
5
6
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
0
2
1
4
3
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
V
G
G
I , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 5 Typical Transfer Characteristics
6
5
8
7
10
9
V
= 10V
DS
T = -55°C
T = +25°C
T = +125°C
T = +75°C
0
50
100
150
200
250
0
25
50
75
100
125
150
175
200
P
d
T , AMBIENT TEMPERATURE (
°
C)
Fig. 6 Max Power Dissipation vs.
Ambient Temperature
N-CHANNEL - 2N7002 SECTION
T
C
U
D
O
R
P
W
E
N
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSS8402DW COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
BSS84DW DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
BSS84W P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
BST16 PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
BST39 NPN SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BSS8402DW-7-F 功能描述:MOSFET 60 / -50V 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BSS8402DWQ-7 功能描述:MOSFET N/P-CH 60V/50V 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:60V，50V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:115mA，130mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:13.5 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:200mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應商器件封裝:SOT-363 標準包裝:3,000
BSS8402DWT/R13 制造商:PANJIT 制造商全稱:Pan Jit International Inc. 功能描述:COMPLIMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFETS
BSS8402DWT/R13-R 制造商:PANJIT 制造商全稱:Pan Jit International Inc. 功能描述:COMPLIMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFETS
BSS8402DWT/R7 制造商:PANJIT 制造商全稱:Pan Jit International Inc. 功能描述:COMPLIMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFETS
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