參數(shù)資料
型號(hào)： BSR17A
廠商： DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
英文描述： Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
中文描述： 表面貼裝硅外延PlanarTransistors
文件頁(yè)數(shù)： 2/2頁(yè)
文件大?。?/td> 181K
代理商： BSR17A
1
) Tested with pulses t
p
= 300 s, duty cycle 2% – Gemessen mit Impulsen t
p
= 300 s, Schaltverhltnis 2%
2
) Mounted on P.C. board with 3 mm
2
copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm
2
Kupferbelag (Ltpad) an jedem Anschlu
01.11.2003
11
Switching Transistors
BSR 17A
Characteristics (T
j
= 25 C)
Kennwerte (T
j
= 25 C)
Typ.
Min.
Max.
Base saturation voltage – Basis-Sttigungsspannung
1
)
I
C
= 10 mA, I
B
= 1 mA
I
C
= 50 mA, I
B
= 5 mA
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhltnis
1
)
V
CE
= 1 V, I
C
= 0.1 mA
V
CE
= 1 V, I
C
= 1 mA
V
CE
= 1 V, I
C
= 10 mA
V
CE
= 1 V, I
C
= 50 mA
V
CE
= 1 V, I
C
= 100 mA
Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz
V
CE
= 20 V, I
C
= 10 mA, f = 100 MHz
Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazitt
V
CB
= 5 V, I
E
= i
e
= 0, f = 1 MHz
Emitter-Base Capacitance – Emitter-Basis-Kapazitt
V
EB
= 0.5 V, I
C
= i
c
= 0, f = 1 MHz
Noise figure – Rauschzahl
V
CE
= 5 V, I
C
= 100 A, R
S
= 1 k ,
f = 10 Hz...15.7 kHz
Switching times – Schaltzeiten
turn-on time
delay time
rise time
turn-off time
storage time
fall time
Thermal resistance junction to ambient air
Wrmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Recommended complementary PNP transistors
Empfohlene komplementre PNP-Transistoren
V
BEsat
V
BEsat
650 mV
–
–
–
850 mV
950 mV
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
60
80
100
60
30
–
–
–
–
–
–
–
300
–
–
f
T
300 MHz
–
–
C
CB0
–
4 pF
–
C
EB0
–
8 pF
–
F
–
–
5 dB
I
Con
= 10 mA
I
Bon
= 1 mA
- I
Boff
= 1 mA
t
on
t
d
t
r
t
off
t
s
t
f
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
65 ns
35 ns
35 ns
240 ns
200 ns
50 ns
R
thA
420 K/W
2
)
BSR 18A
Marking - Stempelung
BSR 17A = U92
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PDF描述
BSR19A NPN high voltage transistors
BSR30 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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BSR17A_D87Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BSR17A_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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