參數(shù)資料
型號： BSM200GB170DLC
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類： 功率晶體管
英文描述： RP Series - Econoline Unregulated DC-DC Converters; Input Voltage (Vdc): 09V; Output Voltage (Vdc): 05V; Power: 1W; Pot-Core Transformer - separated windings; High 5.2kVDC Isolation in compact size; Optional Continuous Short Circuit Protected; Pin Compatible with RH & RK Series; Approved for Medical Applications; UL and EN Safety Approvals; Efficiency to 82%
中文描述： 400 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-7
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大?。?/td> 81K
代理商： BSM200GB170DLC
Technische Information / Technical Information
BSM 200 GB 170 DLC
IGBT-Module
IGBT-Modules
t [sec]
2
24,21
0,0356
i
1
3
4
r
i
[K/kW]
: IGBT
τ
i
[sec]
: IGBT
8,37
0,0047
36,07
0,0613
6,35
0,4669
r
i
[K/kW]
: Diode
τ
i
[sec]
: Diode
27,92
55,32
55,32
11,45
0,0062
0,0473
0,0473
0,2322
I
C
V
CE
[V]
Z
t
[
Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)
Reverse bias safe operation area (RBSOA)
R
g
= 7,5 Ohm, T
vj
= 125°C
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
IC,Modul
IC,Chip
Transienter Wrmewiderstand Z
thJC
= f (t)
Transient thermal impedance
0,001
0,01
0,1
1
0,001
0,01
0,1
1
10
100
Zth:Diode
Zth:IGBT
7(8)
BSM200GB170DLC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSM200GB60DLC Technicshe Information
BSM25GD120DN2 IGBT Power Module
BSM25GD120DN2E3224 IGBT Power Module
BSM35GB120DLC vorlafige Daten preliminary data
BSM75GB60DLC Hchstzulssige Werte Maximum rated values
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BSM200GB60DLC 功能描述:IGBT 模塊 600V 200A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM200GB60DLCHOSA1 功能描述:IGBT MODULE 600V 230A 制造商:infineon technologies 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:- 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:230A 功率 - 最大值:730W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.45V @ 15V，200A 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:9nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:模塊 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10
BSM200GD60DLC 功能描述:IGBT 模塊 600V 200A 3-PHASE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM200GT120DLC 功能描述:IGBT 模塊 1200V 200A TRIPACK RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM200GT120DN2 功能描述:IGBT 模塊 1200V 200A TRIPACK RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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