參數(shù)資料
型號： BSM200GB170DLC
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類： 功率晶體管
英文描述： RP Series - Econoline Unregulated DC-DC Converters; Input Voltage (Vdc): 09V; Output Voltage (Vdc): 05V; Power: 1W; Pot-Core Transformer - separated windings; High 5.2kVDC Isolation in compact size; Optional Continuous Short Circuit Protected; Pin Compatible with RH & RK Series; Approved for Medical Applications; UL and EN Safety Approvals; Efficiency to 82%
中文描述： 400 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-7
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大?。?/td> 81K
代理商： BSM200GB170DLC
Technische Information / Technical Information
BSM 200 GB 170 DLC
IGBT-Module
IGBT-Modules
I
C
V
GE
[V]
I
F
V
F
[V]
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
5
6
7
8
9
10
11
12
13
Tj = 25°C
Tj = 125°C
übertragungscharakteristik (typisch) I
C
= f (V
GE
)
Transfer characteristic (typical)
V
CE
= 20V
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
Tj = 25°C
Tj = 125°C
Durchlakennlinie der Inversdiode (typisch) I
F
= f (V
F
)
Forward characteristic of inverse diode (typical)
5(8)
BSM200GB170DLC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSM200GB60DLC Technicshe Information
BSM25GD120DN2 IGBT Power Module
BSM25GD120DN2E3224 IGBT Power Module
BSM35GB120DLC vorlafige Daten preliminary data
BSM75GB60DLC Hchstzulssige Werte Maximum rated values
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BSM200GB60DLC 功能描述:IGBT 模塊 600V 200A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM200GB60DLCHOSA1 功能描述:IGBT MODULE 600V 230A 制造商:infineon technologies 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:- 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:230A 功率 - 最大值:730W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.45V @ 15V，200A 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:9nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:模塊 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10
BSM200GD60DLC 功能描述:IGBT 模塊 600V 200A 3-PHASE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM200GT120DLC 功能描述:IGBT 模塊 1200V 200A TRIPACK RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM200GT120DN2 功能描述:IGBT 模塊 1200V 200A TRIPACK RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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