參數(shù)資料
型號(hào)： BSM200GB170DLC
廠(chǎng)商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： RP Series - Econoline Unregulated DC-DC Converters; Input Voltage (Vdc): 09V; Output Voltage (Vdc): 05V; Power: 1W; Pot-Core Transformer - separated windings; High 5.2kVDC Isolation in compact size; Optional Continuous Short Circuit Protected; Pin Compatible with RH & RK Series; Approved for Medical Applications; UL and EN Safety Approvals; Efficiency to 82%
中文描述： 400 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-7
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大?。?/td> 81K
代理商： BSM200GB170DLC
Technische Information / Technical Information
BSM 200 GB 170 DLC
IGBT-Module
IGBT-Modules
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
min.
typ.
max.
Einschaltverzgerungszeit (ind. Last)
turn on delay time (inductive load)
I
C
= 200A, V
CE
= 900V
V
GE
= ±15V, R
G
= 7,5
, T
vj
= 25°C
t
d,on
-
0,1
-
μs
V
GE
= ±15V, R
G
= 7,5
, T
vj
= 125°C
-
0,1
-
μs
Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)
I
C
= 200A, V
CE
= 900V
V
GE
= ±15V, R
G
= 7,5
, T
vj
= 25°C
t
r
-
0,1
-
μs
V
GE
= ±15V, R
G
= 7,5
, T
vj
= 125°C
-
0,1
-
μs
Abschaltverzgerungszeit (ind. Last)
turn off delay time (inductive load)
I
C
= 200A, V
CE
= 900V
V
GE
= ±15V, R
G
= 7,5
, T
vj
= 25°C
t
d,off
-
0,8
-
μs
V
GE
= ±15V, R
G
= 7,5
, T
vj
= 125°C
-
0,9
-
μs
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
I
C
= 200A, V
CE
= 900V
V
GE
= ±15V, R
G
= 7,5
, T
vj
= 25°C
t
f
-
0,03
-
μs
V
GE
= ±15V, R
G
= 7,5
, T
vj
= 125°C
-
0,03
-
μs
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn-on energy loss per pulse
I
C
= 200A, V
CE
= 900V, V
GE
= 15V
R
G
= 7,5
, T
vj
= 125°C, L
S
= 60nH
E
on
-
90
-
mWs
Abschaltverlustenergie pro Puls
turn-off energy loss per pulse
I
C
= 200A, V
CE
= 900V, V
GE
= 15V
R
G
= 7,5
, T
vj
= 125°C, L
S
= 60nH
E
off
-
65
-
mWs
Kurzschluverhalten
SC Data
t
P
≤
10μsec, V
GE
≤
15V, R
G
= 7,5
T
Vj
≤
125°C, V
CC
=1000V, V
CEmax
=V
CES
-L
sCE
·dI/dt
I
SC
-
800
-
A
Modulinduktivitt
stray inductance module
L
sCE
-
30
-
nH
Modulleitungswiderstand, Anschlüsse - Chip
module lead resistance, terminals - chip
pro Zweig / per arm
R
CC’+EE’
-
0,6
-
m
Charakteristische Werte / Characteristic values
Diode / Diode
min.
typ.
max.
Durchlaspannung
forward voltage
I
F
= 200A, V
GE
= 0V, T
vj
= 25°C
V
F
-
2,1
2,5
V
I
F
= 200A, V
GE
= 0V, T
vj
= 125°C
-
2,1
2,5
V
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
I
F
= 200A, - di
F
/dt = 2300A/μsec
V
R
= 900V, VGE = -10V, T
vj
= 25°C
I
RM
-
160
-
A
V
R
= 900V, VGE = -10V, T
vj
= 125°C
-
200
-
A
Sperrverzgerungsladung
recovered charge
I
F
= 200A, - di
F
/dt = 2300A/μsec
V
R
= 900V, VGE = -10V, T
vj
= 25°C
Q
r
-
60
-
μAs
V
R
= 900V, VGE = -10V, T
vj
= 125°C
-
105
-
μAs
Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
I
F
= 200A, - di
F
/dt = 2300A/μsec
V
R
= 900V, VGE = -10V, T
vj
= 25°C
E
rec
-
25
-
mWs
V
R
= 900V, VGE = -10V, T
vj
= 125°C
-
50
-
mWs
2(8)
BSM200GB170DLC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSM200GB60DLC Technicshe Information
BSM25GD120DN2 IGBT Power Module
BSM25GD120DN2E3224 IGBT Power Module
BSM35GB120DLC vorlafige Daten preliminary data
BSM75GB60DLC Hchstzulssige Werte Maximum rated values
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BSM200GB60DLC 功能描述:IGBT 模塊 600V 200A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM200GB60DLCHOSA1 功能描述:IGBT MODULE 600V 230A 制造商:infineon technologies 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類(lèi)型:- 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:230A 功率 - 最大值:730W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.45V @ 15V，200A 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:9nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:模塊 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10
BSM200GD60DLC 功能描述:IGBT 模塊 600V 200A 3-PHASE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM200GT120DLC 功能描述:IGBT 模塊 1200V 200A TRIPACK RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM200GT120DN2 功能描述:IGBT 模塊 1200V 200A TRIPACK RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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