參數(shù)資料
型號： BSM150GB120DLC
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Technische Information / Technical Information
中文描述： 300 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-7
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大?。?/td> 98K
代理商： BSM150GB120DLC
Technische Information / Technical Information
BSM150GB120DLC
IGBT-Module
IGBT-Modules
vorlufige Daten
preliminary data
E
I
C
[A]
E
R
G
[
]
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0
50
100
150
200
250
300
Eoff
Eon
Erec
Schaltverluste (typisch) E
on
= f (I
C
) , E
off
= f (I
C
) , E
rec
= f (I
C
)
Switching losses (typical)
V
GE
=15V, R
gon
= R
goff
=5,6
, V
CE
= 600V, T
j
= 125°C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
Eoff
Eon
Erec
Schaltverluste (typisch) E
on
= f (R
G
) , E
off
= f (R
G
) , E
rec
= f (R
G
)
Switching losses (typical)
V
GE
=15V , I
C
= 150A , V
CE
= 600V , T
j
= 125°C
6(8)
DB_BSM150GB120DLC.xls
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSM200GA120DLC Technische Information / Technical Information
BSM200GB170DLC RP Series - Econoline Unregulated DC-DC Converters; Input Voltage (Vdc): 09V; Output Voltage (Vdc): 05V; Power: 1W; Pot-Core Transformer - separated windings; High 5.2kVDC Isolation in compact size; Optional Continuous Short Circuit Protected; Pin Compatible with RH & RK Series; Approved for Medical Applications; UL and EN Safety Approvals; Efficiency to 82%
BSM200GB60DLC Technicshe Information
BSM25GD120DN2 IGBT Power Module
BSM25GD120DN2E3224 IGBT Power Module
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BSM150GB120DN2 功能描述:IGBT 模塊 1200V 150A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM150GB120DN2_E3166 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 210A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM150GB120DN2_E3166C-SE 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
BSM150GB120DN2E3166 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Enlarged diode area)
BSM150GB120DN2F 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1200V 150A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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