參數(shù)資料
型號： BSM150GB120DLC
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Technische Information / Technical Information
中文描述： 300 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-7
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 98K
代理商： BSM150GB120DLC
Technische Information / Technical Information
BSM150GB120DLC
IGBT-Module
IGBT-Modules
vorlufige Daten
preliminary data
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
min.
typ.
max.
Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Transistor / transistor, DC
R
thJC
-
-
0,1
K/W
Diode/Diode, DC
-
-
0,25
K/W
übergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per module
λ
Παστε
= 1 W/m * K /
λ
grease
= 1 W/m * K
R
thCK
-
0,01
-
K/W
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
T
vj
-
-
150
°C
Betriebstemperatur
operation temperature
T
op
-40
-
125
°C
Lagertemperatur
storage temperature
T
stg
-40
-
150
°C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehuse, siehe Anlage
case, see appendix
Innere Isolation
internal insulation
AL
2
O
3
Kriechstrecke
creepage distance
20
mm
Luftstrecke
clearance
11
mm
CTI
comperative tracking index
275
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung
mounting torque
M1
3
6
Nm
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse
terminal connection torque
terminals M6
M2
2,5
5
Nm
Gewicht
weight
G
420
g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert.
Sie gilt in Verbindung mit den zugehrigen Technischen Erluterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is
valid in combination with the belonging technical notes.
3(8)
DB_BSM150GB120DLC.xls
相關PDF資料
PDF描述
BSM200GA120DLC Technische Information / Technical Information
BSM200GB170DLC RP Series - Econoline Unregulated DC-DC Converters; Input Voltage (Vdc): 09V; Output Voltage (Vdc): 05V; Power: 1W; Pot-Core Transformer - separated windings; High 5.2kVDC Isolation in compact size; Optional Continuous Short Circuit Protected; Pin Compatible with RH & RK Series; Approved for Medical Applications; UL and EN Safety Approvals; Efficiency to 82%
BSM200GB60DLC Technicshe Information
BSM25GD120DN2 IGBT Power Module
BSM25GD120DN2E3224 IGBT Power Module
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
BSM150GB120DN2 功能描述:IGBT 模塊 1200V 150A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM150GB120DN2_E3166 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 210A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM150GB120DN2_E3166C-SE 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
BSM150GB120DN2E3166 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Enlarged diode area)
BSM150GB120DN2F 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1200V 150A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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