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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BS870 |
| 廠商： | GE Security, Inc. |
| 英文描述： | DMOS Transistors (N-Channel)(N通道DMOS晶體管) |
| 中文描述： | DMOS晶體管（N溝道）（不適用通道的DMOS晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 5/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 236K |
| 代理商： | BS870 |
RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES BS870
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BS980-GS18 | RF PIN Diode |
| BSM100GD120DLC | IGBT-Module |
| BSM100GP60 | Hochstzulassige Werte / Maximum rated values |
| BSM150GB120DLC | Technische Information / Technical Information |
| BSM200GA120DLC | Technische Information / Technical Information |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BS870/E8 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 250MA I(D) | SOT-23 |
| BS870/E9 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 250MA I(D) | SOT-23 |
| BS870\E9 | 功能描述:MOSFET USE 781-2N7002K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BS870_ | 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| BS870_08 | 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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