參數(shù)資料
型號: BS870
廠商: GE Security, Inc.
英文描述: DMOS Transistors (N-Channel)(N通道DMOS晶體管)
中文描述: DMOS晶體管(N溝道)(不適用通道的DMOS晶體管)
文件頁數(shù): 3/5頁
文件大?。?/td> 236K
代理商: BS870
Drain-source current
versus gate threshold voltage
mA
10
3
0
V
GS(TO)
5 V
BS870
10
1
10
-1
10
2
10
-2
10
-3
1
2
3
4
I
DS
V
=
V
DS
T
=
25 °C
A
GS
RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES BS870
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PDF描述
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參數(shù)描述
BS870/E8 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 250MA I(D) | SOT-23
BS870/E9 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 250MA I(D) | SOT-23
BS870\E9 功能描述:MOSFET USE 781-2N7002K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BS870_ 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
BS870_08 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR