| 型號: | BS870 | 
| 廠商: | GE Security, Inc. | 
| 英文描述: | DMOS Transistors (N-Channel)(N通道DMOS晶體管) | 
| 中文描述: | DMOS晶體管(N溝道)(不適用通道的DMOS晶體管) | 
| 文件頁數(shù): | 3/5頁 | 
| 文件大?。?/td> | 236K | 
| 代理商: | BS870 | 

| 相關(guān)PDF資料 | PDF描述 | 
|---|---|
| BS980-GS18 | RF PIN Diode | 
| BSM100GD120DLC | IGBT-Module | 
| BSM100GP60 | Hochstzulassige Werte / Maximum rated values | 
| BSM150GB120DLC | Technische Information / Technical Information | 
| BSM200GA120DLC | Technische Information / Technical Information | 
| 相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) | 參數(shù)描述 | 
|---|---|
| BS870/E8 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 250MA I(D) | SOT-23 | 
| BS870/E9 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 250MA I(D) | SOT-23 | 
| BS870\E9 | 功能描述:MOSFET USE 781-2N7002K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube | 
| BS870_ | 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | 
| BS870_08 | 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |