Power-Down/Power-Up Timing—bq4285E (TA = TOPR) Symbol Parameter Minimum Typical Maximum Unit Conditi" />
參數(shù)資料
型號(hào)： BQ4285EP
廠商： Texas Instruments
文件頁(yè)數(shù)： 15/31頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
描述： IC RTC W/114X8 NVSRAM 24-DIP
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： Clock Basics in 10 minutes or less
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 15
類型： 時(shí)鐘/日歷
特點(diǎn)： 警報(bào)器，夏令時(shí)，閏年，NVSRAM，方波輸出
存儲(chǔ)容量： 114B
時(shí)間格式： HH:MM:SS（12/24 小時(shí)）
數(shù)據(jù)格式： YY-MM-DD-dd
接口： 并聯(lián)
電源電壓： 4.5 V ~ 5.5 V
電壓 - 電源，電池： 2.5 V ~ 4 V
工作溫度： 0°C ~ 70°C
安裝類型： 通孔
封裝/外殼： 24-DIP（0.600"，15.24mm）
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 24-PDIP
包裝： 管件
產(chǎn)品目錄頁(yè)面： 1076 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱： 296-6525-5
22
Power-Down/Power-Up Timing—bq4285E (TA = TOPR)
Symbol
Parameter
Minimum
Typical
Maximum
Unit
Conditions
tF
VCC slew from 4.5V to 0V
300
-
s
tR
VCC slew from 0V to 4.5V
100
-
s
tCSR
CS at VIH after power-up
20
-
200
ms
Internal write-protection
period after VCC passes VPFD
on power-up.
tWPT
Write-protect time for
external RAM
10
16
30
s
Delay after VCC slows down
past VPFD before SRAM is
write-protected.
tCER
Chip enable recovery time
tCSR
-
tCSR
ms
Time during which external
SRAM is write-protected after
VCC passes VPFD on power-up.
tCED
Chip enable propagation
delay to external SRAM
-
7
10
ns
Caution:
Negative undershoots below the absolute maximum rating of -0.3V in battery-backup mode
may affect data integrity.
Power-Down/Power-Up Timing—bq4285E
bq4285E/L
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BQ4847YMT IC RTC W/NVSRAM CONTROL T-MOD
BU2280FV-E2 IC CLOCK GEN DVD-VIDEO SSOP-B24
BU2363FV-E2 IC CLOCK GEN DVD-VIDEO SSOP-B16
BU2365FV-E2 IC CLOCK GEN W/VCXO SSOP-B24
BU2505FV-E2 IC DAC 10BIT 10-CHAN SSOP-B20
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BQ4285ES 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:
BQ4285L 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Enhanced RTC With NVRAM Control
BQ4285LP 制造商:TI 制造商全稱:Texas Instruments 功能描述:Enhanced RTC With NVRAM Control
BQ4285LQ 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:
BQ4285LS 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
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