Read/Write Timing—bq4285E (TA = TOPR, VCC = 5V ± 10%) Symbol Parameter Minimum Typical Maximum Unit " />
參數(shù)資料
型號: BQ4285EP
廠商: Texas Instruments
文件頁數(shù): 10/31頁
文件大?。?/td> 0K
描述: IC RTC W/114X8 NVSRAM 24-DIP
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊: Clock Basics in 10 minutes or less
標準包裝: 15
類型: 時鐘/日歷
特點: 警報器,夏令時,閏年,NVSRAM,方波輸出
存儲容量: 114B
時間格式: HH:MM:SS(12/24 小時)
數(shù)據(jù)格式: YY-MM-DD-dd
接口: 并聯(lián)
電源電壓: 4.5 V ~ 5.5 V
電壓 - 電源,電池: 2.5 V ~ 4 V
工作溫度: 0°C ~ 70°C
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: 24-DIP(0.600",15.24mm)
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 24-PDIP
包裝: 管件
產(chǎn)品目錄頁面: 1076 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: 296-6525-5
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Read/Write Timing—bq4285E (TA = TOPR, VCC = 5V ± 10%)
Symbol
Parameter
Minimum
Typical
Maximum
Unit
Notes
tCYC
Cycle time
160
-
ns
tDSL
DS low or RD/WR high time
80
-
ns
tDSH
DS high or RD/WR low time
55
-
ns
tRWH
R/W hold time
0
-
ns
tRWS
R/W setup time
10
-
ns
tCS
Chip select setup time
5
-
ns
tCH
Chip select hold time
0
-
ns
tDHR
Read data hold time
0
-
25
ns
tDHW
Write data hold time
0
-
ns
tAS
Address setup time
20
-
ns
tAH
Address hold time
5
-
ns
tDAS
Delay time, DS to AS rise
10
-
ns
tASW
Pulse width, AS high
30
-
ns
tASD
Delay time, AS to DS rise
(RD/WR fall)
35
-
ns
tOD
Output data delay time from DS
rise (RD fall)
-
50
ns
tDW
Write data setup time
30
-
ns
tBUC
Delay time before update
-
244
-
s
tPI
Periodic interrupt time interval
----
See Table 3
tUC
Time of update cycle
-
1
-
s
bq4285E/L
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BQ4847YMT IC RTC W/NVSRAM CONTROL T-MOD
BU2280FV-E2 IC CLOCK GEN DVD-VIDEO SSOP-B24
BU2363FV-E2 IC CLOCK GEN DVD-VIDEO SSOP-B16
BU2365FV-E2 IC CLOCK GEN W/VCXO SSOP-B24
BU2505FV-E2 IC DAC 10BIT 10-CHAN SSOP-B20
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BQ4285ES 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:
BQ4285L 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Enhanced RTC With NVRAM Control
BQ4285LP 制造商:TI 制造商全稱:Texas Instruments 功能描述:Enhanced RTC With NVRAM Control
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BQ4285LS 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk