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參數(shù)資料
| 型號： | BPV10 |
| 廠商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 光敏二極管 |
| 英文描述： | Photo Diode, PIN PHOTO DIODE, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 |
| 中文描述： | Photodiodes 10V 215mW 875nm |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 97K |
| 代理商： | BPV10 |
BPV10
www.vishay.com
Vishay Semiconductors
Rev. 1.9, 22-Nov-11
3
Document Number: 81502
For technical questions, contact:
detectortechsupport@vishay.com
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www.vishay.com/doc91000
Fig. 3 - Reverse Light Current vs. Irradiance
Fig. 4 - Reverse Light Current vs. Reverse Voltage
Fig. 5 - Diode Capacitance vs. Reverse Voltage
Fig. 6 - Relative Spectral Sensitivity vs. Wavelength
Fig. 7 - Relative Radiant Sensitivity vs. Angular Displacement
0.01
0.1
1
0.1
1
10
100
1000
I
r
-
A
E
e
- Irradiance (mW/cm
2
)
10
94 8437
V
= 5 V
λ
= 950 nm
0.1
1
10
1
10
100
V
R
- Reverse Voltage (V)
100
94 8438
I
r
-
1mW/cm
2
0.5 mW/cm
2
0.2 mW/cm
2
0.1 mW/cm
2
0.05 mW/cm
2
0.02 mW/cm
2
λ
= 950 nm
0
2
4
6
8
12
10
0.1
1
10
C
D
V
R
- Reverse Voltage (V)
100
94 8439
E = 0
f = 1 MHz
350
550
750
950
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1150
94 8440
S
-
r
λ
- Wavelength (nm)
λ
0.4
0.2
0
S
-
r
94 8624
0.6
0.9
0.8
0°
30°
10°
20°
40°
50°
60°
70°
80°
0.7
1.0
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| BPV11F | Silicon NPN Phototransistor(檢測應(yīng)用的高靈敏度NPN外延平面型光晶體管) |
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參數(shù)描述 |
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| BPV10NF | 功能描述:光電二極管 60V 215mW 875nm RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Photodiodes 反向電壓:10 V 最大暗電流:30 nA 峰值波長:565 nm 上升時間:3.1 us 下降時間:3 us 半強度角度:50 deg 封裝 / 箱體:TO-5 |
| BPV10NF | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:Photo Diode |
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