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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BLV902 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 28V V(BR)CEO | 600MA I(C) | SOT-409B |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 28V的五（巴西）總裁| 600毫安一（c）|的SOT - 409B |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 8/10頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 54K |
| 代理商： | BLV902 |
February 1996
8
Philips Semiconductors
Product specification
UHF power transistor
BLV90
Fig.9 Input impedance (series components).
V
CE
= 12.5 V; P
= 1 W; f = 800 - 960 MHz;
T
mb
= 25
°
C; class-B operation; typical values.
handbook, halfpage
Zi
(
)
800
1000
2
0
2
4
6
840
xi
ri
880
920
f (MHz)
960
MDA396
Fig.10 Load impedance (series components).
V
CE
= 12.5 V; P
= 1 W; f = 800 - 960 MHz;
T
mb
= 25
°
C; class-B operation; typical values.
handbook, halfpage
ZL
(
)
800
1000
15
17
19
21
23
840
XL
RL
880
920
f (MHz)
960
MDA397
Fig.11 Power gain as a function of frequency.
V
CE
= 12.5 V; P
= 1 W; f = 800 - 960 MHz;
T
mb
= 25
°
C; class-B operation; typical values.
handbook, halfpage
800
8
4
0
850
f (MHz)
Gp
(dB)
900
1000
950
MDA563
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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