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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BLV32F |
| 廠商： | ADVANCED SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類(lèi)： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 14 pin DIP, 5.0 Volt, HCMOS/TTL, Clock Oscillator |
| 中文描述： | VHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | 0.500 INCH, FM-6 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/1頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 18K |
| 代理商： | BLV32F |
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
REV. A
7525 ETHEL AVENUE
NORTH HOLLYWOOD, CA 91605
(818) 982-1200
FAX (818) 765-3004 1/1
Specifications are subject to change without notice.
CHARACTERISTICS
T
C
= 25
O
C
SYMBOL
BV
CEO
I
C
= 100 mA
BV
CES
I
C
= 15 mA
BV
EBO
I
E
= 10 mA
I
CES
V
CE
= 32 V
h
FE
V
CE
= 25 V I
C
= 1.6 A
NONE
TEST CONDITIONS
MINIMUM TYPICAL MAXIMUM
32
UNITS
V
V
V
mA
---
60
4.0
5.0
20
120
C
C
V
CB
= 25 V
f = 1.0 MHz
50
pF
P
G
V
CE
= 25 V
P
OUT
= 10 W f = 224 MHz
16
dB
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
DESCRIPTION:
BLV32F
The
ASI BLV32F
is Designed for in
linear v.h.f. amplifiers of television
transmitters and transporters
.
FEATURES:
Diffused emitter ballasting resistors
P
G
= 16 dB at 10 W/224 MHz
Omnigold
Metalization System
MAXIMUM RATINGS
I
C
4.0 A
V
CBO
60 V
V
CEO
32 V
V
CES
60 V
V
EBO
4.0 V
P
DISS
82 W @ T
C
= 25
O
C
-65
O
C to +200
O
C
-65
O
C to +150
O
C
2.1
O
C/W
T
J
T
STG
θ
JC
PACKAGE STYLE .500 6L FLG
1= Collector 2= Base 3 and 4= Emitter
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| BLV34 | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
| BLV36 | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 33V V(BR)CEO | 8.5A I(C) | SOT-161 |
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