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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BLX13C |
| 廠商： | ADVANCED SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 14 pin DIP, 5.0 Volt, HCMOS/TTL, Clock Oscillator |
| 中文描述： | VHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 14K |
| 代理商： | BLX13C |
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
REV. B
7525 ETHEL AVENUE
NORTH HOLLYWOOD, CA 91605
(818) 982-1200
FAX (818) 765-3004 1/1
Specifications are subject to change without notice.
CHARACTERISTICS
T
C
= 25 °C
SYMBOL
BV
CES
I
C
= 10 mA
BV
CEO
I
C
= 50 mA
BV
EBO
I
E
= 10 mA
I
CES
V
CB
= 36 V
h
FE
V
CE
= 5.0 V I
C
= 1.25A
TEST CONDITIONS
MINIMUM TYPICAL MAXIMUM
65
UNITS
V
36
V
4.0
V
4.0
mA
10
100
---
C
ob
V
CB
= 28 V
f = 1.0 MHz
50
pF
P
G
η
V
CE
= 28 V
P
OUT
= 25 W f = 28 MHz
21
45
dB
%
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
BLX13C
DESCRIPTION:
The
ASI BLX13C
is Designed for
28 V, Linear Amplifier, class A and AB in
the HF and VHF bands.
FEATURES:
P
G
= 21 dB Typical at 25 W/ 28 MHz
Omnigoldl
Metallization System
MAXIMUM RATINGS
I
C
3.0 A
V
CE
36 V
V
CB
65 V
P
DISS
73 W @ T
C
= 25 °C
T
J
-65 °C to +200 °C
T
STG
-65 °C to +150 °C
θ
JC
2.39 °C/W
PACKAGE STYLE .380" 4L STUD
.112x45°
A
MINIMUM
inches / mm
.004 / 0.10
.370 / 9.40
.320 / 8.13
B
C
D
E
F
G
A
MAXIMUM
inches / mm
.385 / 9.78
.330 / 8.38
.130 / 3.30
.007 / 0.18
H
.090 / 2.29
.100 / 2.54
DIM
.220 / 5.59
.230 / 5.84
.490 / 12.45
.450 / 11.43
I
J
.155 / 3.94
.175 / 4.45
.750 / 19.05
.980 / 24.89
.100 / 2.54
E
F
D
C
B
G
H
J
I
#8-32 UNC-2A
E
E
C
B
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BLX14 | 14 pin DIP, 5.0 Volt, HCMOS/TTL, Clock Oscillator |
| BLX15 | 14 pin DIP, 5.0 Volt, HCMOS/TTL, Clock Oscillator |
| BLX39 | 14 pin DIP, 5.0 Volt, HCMOS/TTL, Clock Oscillator |
| BLX65S | NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| BLX92A | 14 pin DIP, 5.0 Volt, HCMOS/TTL, Clock Oscillator |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BLX14 | 制造商:ASI 制造商全稱:ASI 功能描述:NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
| BLX15 | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
| BLX16 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-5 |
| BLX17 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-5 |
| BLX18 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-5 |
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