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參數(shù)資料
| 型號： | BLV31 |
| 廠商： | ADVANCED SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 14 pin DIP, 5.0 Volt, HCMOS/TTL, Clock Oscillator |
| 中文描述： | VHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 14K |
| 代理商： | BLV31 |
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
REV 0
7525 ETHEL AVENUE
NORTH HOLLYWOOD, CA 91605
(818) 982-1200
FAX (818) 765-3004 1/1
Specifications are subject to change without notice.
CHARACTERISTICS
T
C
= 25
O
C
SYMBOL
BV
CEO
BV
CES
BV
EBO
h
FE
TEST CONDITIONS
MINIMUM TYPICAL MAXIMUM
30
UNITS
V
V
V
---
I
C
= 100 mA
I
C
= 25mA V
BE
= 0 V
I
E
= 10 mA
V
CE
= 25 V I
C
= 800 mA
60
4
15
75
120
C
OB
V
CB
= 25 V
f = 1.0 MHz
35
pF
P
OUT
P
G
* @ 25
O
C
V
CE
= 25 V I
C
= 800 mA P
IN
= 2.5 W
F = 224 MHz T= 70
O
C
5.0
15
7.0*
16.5*
W
dB
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
BLV31
DESCRIPTION:
The
ASI BLV31
is Designed for use
in VHF amplifiers
FEATURES:
P
G
= 16.5 dB Typical at 224 MHz
Omnigold
Metallization System
MAXIMUM RATINGS
I
C
3A
V
CB
60 V
P
DISS
48 W @ T
C
= 25
O
C
T
J
-65
O
C to +200
O
C
T
STG
-65
O
C to +150
O
C
θ
JC
3.5
O
C/W
PACKAGE STYLE .280 4L STUD
M IN IM U M
inches / m m
.003 / 0.08
.270 / 6.86
.117 / 2.97
B
C
D
E
F
G
A
M A X IM U M
inches / m m
.285 / 7.24
.137 / 3.48
.007 / 0.18
H
.245 / 6.22
.255 / 6.48
D IM
1.010 / 25.65
1.055 / 26.80
I
J
.217 / 5.51
.220 / 5.59
K
.175 / 4.45
.285 / 7.24
.275 / 6.99
.572 / 14.53
.640 / 16.26
.130 / 3.30
.230 /5.84
G
K
H
F
E
D
C
B
45°
A
#8-32 U N C
I
J
E
E
B
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BLV32F | 14 pin DIP, 5.0 Volt, HCMOS/TTL, Clock Oscillator |
| BLV33F | 14 pin DIP, 5.0 Volt, HCMOS/TTL, Clock Oscillator |
| BLV80-28 | 14 pin DIP, 5.0 Volt, HCMOS/TTL, Clock Oscillator |
| BLW31 | 14 pin DIP, 5.0 Volt, HCMOS/TTL, Clock Oscillator |
| BLW75 | 14 pin DIP, 5.0 Volt, HCMOS/TTL, Clock Oscillator |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BLV32F | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
| BLV33 | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
| BLV33F | 制造商:ASI 制造商全稱:ASI 功能描述:NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
| BLV34 | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
| BLV36 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 33V V(BR)CEO | 8.5A I(C) | SOT-161 |
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