參數(shù)資料
型號(hào)： BLV25
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： VHF power transistor(VHF功率晶體管)
中文描述： VHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
封裝： CERAMIC, FM-6
文件頁(yè)數(shù)： 8/11頁(yè)
文件大?。?/td> 83K
代理商： BLV25
August 1986
8
Philips Semiconductors
Product specification
VHF power transistor
BLV25
Fig.9 R.F. SOAR.
handbook, halfpage
0
MGP301
1
10
10
2
100
PL
(W)
VSWR
25
°
C
50
°
C
70
°
C
25
°
C
50
°
C
70
°
C
Th =
——— f
>
1 MHz (continuous);
short time operation during mismatch (f
>
1 MHz).
Fig.10 Load power as a function of source power.
handbook, halfpage
(W)
0
10
20
30
0
200
MGP302
PS (W)
150
100
50
Test circuit tuned for each power level; typical values;
V
CE
= 28 V; f = 108 MHz; T
h
= 25
°
C; class-B operation.
Fig.11 Power gain and efficiency as a function of
source power.
handbook, halfpage
Gp
(dB)
0
100
200
300
12
4
0
8
80
60
20
0
40
MGP303
η
(%)
PL (W)
η
Gp
Test circuit tuned for each power level; typical values;
V
CE
= 28 V; f = 108 MHz; T
h
= 25
°
C; class-B operation.
Fig.12 Input impedance (series components).
handbook, halfpage
ri, xi
(
)
20
0
0.5
0.5
1
120
MGP304
70
f (MHz)
xi
ri
Typical values; V
= 28 V; P
L
= 175 W;
T
h
= 25
°
C; class-B operation.
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