參數(shù)資料
型號(hào)： BLV25
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： VHF power transistor(VHF功率晶體管)
中文描述： VHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
封裝： CERAMIC, FM-6
文件頁(yè)數(shù)： 4/11頁(yè)
文件大?。?/td> 83K
代理商： BLV25
August 1986
4
Philips Semiconductors
Product specification
VHF power transistor
BLV25
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C
Notes
1.
2.
Measured under pulse conditions: t
p
≤
300
μ
s;
δ ≤
0,02.
Measured under pulse conditions: t
p
≤
50
μ
s;
δ ≤
0,01.
Collector-emitter breakdown voltage
V
BE
= 0; I
C
= 50 mA
open base; I
C
= 200 mA
Emitter-base breakdown voltage
open collector; I
E
= 20 mA
Collector cut-off current
V
BE
= 0; V
CE
= 33 V
Second breakdown energy; L = 25 mH; f = 50 Hz
open base
R
BE
= 10
D.C. current gain
(1)
V
(BR)CES
V
(BR)CEO
>
>
65 V
33 V
V
(BR)EBO
>
4 V
I
CES
<
25 mA
E
SBO
E
SBR
>
>
20 mJ
20 mJ
I
C
= 8,5 A; V
CE
= 25 V
h
FE
typ.
50
15 to 100
Collector-emitter saturation voltage
(1)
I
C
= 20 A; I
B
= 4,0 A
Transition frequency at f
=
100 MHz
(2)
I
E
= 8,5 A; V
CB
= 25 V
I
E
= 20 A; V
CB
= 25 V
Collector capacitance at f = 1 MHz
I
E
= I
e
= 0; V
CB
= 25 V
Feedback capacitance at f = 1 MHz
I
C
= 100 mA; V
CE
= 25 V
Collector-flange capacitance
V
CEsat
typ.
1,6 V
f
T
f
T
typ.
typ.
600 MHz
600 MHz
C
c
typ.
275 pF
C
re
C
cf
typ.
typ.
155 pF
3 pF
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