參數(shù)資料
型號(hào): BLV2047
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 功率晶體管
英文描述: UHF power transistor(UHF 功率晶體管)
中文描述: UHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
文件頁數(shù): 9/12頁
文件大?。?/td> 84K
代理商: BLV2047
1999 Jun 09
9
Philips Semiconductors
Product specification
UHF power transistor
BLV2047
Scattering parameters: V
CE
= 26 V; I
C
= 1 A
f
(MHz)
S
11
S
21
S
12
S
22
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
1500
1600
1700
1800
1850
1900
1950
2000
2100
2200
2300
2400
2500
0.982
0.970
0.947
0.870
0.779
0.775
0.863
0.913
0.950
0.955
0.955
0.948
0.937
173.3
172.0
170.4
167.5
169.9
179.3
178.0
179.4
178.0
176.4
175.0
173.7
172.4
0.169
0.227
0.349
0.633
0.838
0.833
0.644
0.456
0.285
0.190
0.145
0.162
0.143
131.8
126.1
114.3
85.8
59.5
22.7
6.9
24.5
40.8
54.0
53.6
60.4
84.2
0.031
0.035
0.037
0.036
0.034
0.018
0.011
0.018
0.028
0.031
0.034
0.036
0.038
106.4
96.0
93.3
74.7
60.4
47.4
103.7
121.2
114.7
115.2
114.7
116.7
116.8
0.967
0.953
0.929
0.879
0.845
0.902
0.967
0.990
0.995
0.987
0.983
0.975
0.973
174.6
174.0
173.8
174.2
178.0
177.4
178.7
179.3
176.9
175.5
175.0
174.4
173.9
Fig.12 Input impedance as a function of frequency
(series components); typical values.
V
CE
= 26 V; I
CQ
= 300 mA; P
L
= 60 W; T
mb
= 25
°
C.
handbook, halfpage
(
)
1700
1900
ri
xi
1800
2000
f (MHz)
4
3
2
1
0
MBK403
Fig.13 Load impedance as a function of frequency
(series components); typical values.
V
CE
= 26 V; I
CQ
= 300 mA; P
L
= 60 W; T
mb
= 25
°
C.
handbook, halfpage
(
)
1700
1900
RL
XL
1800
2000
f (MHz)
2
1
0
3
2
1
MBK404
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BLV21 UHF power transistor
BLV25 VHF power transistor(VHF功率晶體管)
BLV33F VHF linear power transistor(VHF線性功率晶體管)
BLV33 VHF linear power transistor(VHF線性功率晶體管)
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BLV21 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
BLV2347 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 27V V(BR)CEO | 10A I(C) | SOT-486A
BLV25 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
BLV297 制造商:BELLING 制造商全稱:SHANGHAI BELLING CO., LTD. 功能描述:N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
BLV2N60 制造商:ESTEK 制造商全稱:ESTEK 功能描述:N-channel Enhancement Mode Power MOSFET