參數(shù)資料
型號(hào)： BLV2047
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF power transistor(UHF 功率晶體管)
中文描述： UHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 10/12頁
文件大?。?/td> 84K
代理商： BLV2047
1999 Jun 09
10
Philips Semiconductors
Product specification
UHF power transistor
BLV2047
PACKAGE OUTLINE
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
EIAJ
SOT468A
97-12-24
0
5
10 mm
scale
Flanged ceramic (AIN) package; 2 mounting holes; 2 leads
SOT468A
D
D1
U1
q
1
3
2
A
U2
H
E
E1
p
b
Q
F
c
M
C
C
A
w2
B
w1
A B
M
UNIT
Q
c
D
E1
E
F
H
p
q
mm
0.15
0.10
b
11.81
11.58
10.29
10.03
D1
15.37
15,11
1.65
1.60
16.74
16.48
DIMENSIONS (millimetre dimensions are derived from the original inch dimensions)
3.30
3.05
20.32
25.53
25.27
U2
U1
9.91
9.65
0.254
w2
w1
0.508
A
5.23
4.62
2.21
2.06
inches
0.006
0.004
0.465
0.455
0.405
0.395
10.26
10.06
0.404
0.396
0.605
0.595
15.39
15,09
0.606
0.594
0.065
0.063
0.659
0.649
0.130
0.120
0.800
1.005
0.995
0.390
0.380
0.01
0.02
0.206
0.182
0.087
0.081
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PDF描述
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參數(shù)描述
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BLV2347 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 27V V(BR)CEO | 10A I(C) | SOT-486A
BLV25 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
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BLV2N60 制造商:ESTEK 制造商全稱:ESTEK 功能描述:N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
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