參數(shù)資料
型號(hào)： BLV103
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF power transistor
中文描述： UHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
封裝： CERAMIC, SOT-171A, 6 PIN
文件頁數(shù)： 8/10頁
文件大?。?/td> 89K
代理商： BLV103
March 1993
8
Philips Semiconductors
Product specification
UHF power transistor
BLV103
Fig.10 Input impedance (series components) as a
function of frequency, typical values.
Class-AB operation; V
CE
= 24 V; I
CQ
= 5 mA;
P
L
= 4 W; T
h
= 25
°
C.
handbook, halfpage
MRA362
0
840
2
4
6
8
(
)
880
920
ri
xi
960
1000
f (MHz)
Fig.11 Load impedance (series components) as a
function of frequency, typical values.
Class-AB operation; V
CE
= 24 V; I
CQ
= 5 mA;
P
L
= 4 W; T
h
= 25
°
C.
handbook, halfpage
ZL
(
)
MRA363
0
840
4
8
12
880
920
XL
RL
960
1000
f (MHz)
Fig.12 Definition of transistor impedance.
handbook, halfpage
MBA451
Zi
ZL
Fig.13 Power gain as a function of frequency,
typical values.
Class-AB operation; V
CE
= 24 V; I
CQ
= 5 mA;
P
L
= 4 W; T
h
= 25
°
C.
handbook, halfpage
MRA360
0
840
4
8
12
880
GP
(dB)
920
960
1000
f (MHz)
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