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參數(shù)資料
| 型號： | BLV103 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | UHF power transistor |
| 中文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | CERAMIC, SOT-171A, 6 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 6/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 89K |
| 代理商： | BLV103 |
March 1993
6
Philips Semiconductors
Product specification
UHF power transistor
BLV103
List of components (see test circuit)
COMPONENT
DESCRIPTION
VALUE
DIMENSIONS
CATALOGUE
NO.
C1, C6, C7, C8,
C15
C2, C3, C13,
C14
C4, C5
multilayer ceramic chip capacitor
330 pF
film dielectric trimmer
1.4 to
5.5 pF
5.1 pF
2222 809 09001
multilayer ceramic chip capacitor
(note 1)
35 V solid aluminum capacitor
multilayer ceramic chip capacitor
C9
C10
2.2
μ
F
3
×
100 nF
in parallel
2222 128 50228
C11, C12
L1, L12
L2, L11
L3
L4
L5
multiplayer ceramic chip capacitor (note 2) 6.2 pF
stripline (note 3)
stripline (note 3)
stripline (note 3)
stripline (note 3)
3 turns enamelled 0.8 mm copper wire
50
50
50
43
9 mm
×
2.4 mm
23 mm
×
2.4 mm
16 mm
×
2.4 mm
3 mm
×
3 mm
int. dia. 3 mm;
length 5 mm;
leads 2 mm
×
5 mm
L6, L8
L7
grade 3B Ferroxcube wideband HF choke
4 turns enamelled 0.8 mm copper wire
4312 020 36642
int. dia. 4 mm;
length 5 mm;
leads 2 mm
×
5 mm
14.5 mm
×
3 mm
4.5 mm
×
2.4 mm
L9
L10
R1, R2
stripline (note 3)
stripline (note 3)
0.4 W metal film resistor
43
50
10
2322 151 71009
Fig.8 Class-AB test circuit at f = 960 MHz.
handbook, full pagewidth
MDA537
D.U.T.
L1
L2
L3
L10
L11
L12
L4
L9
C7
C6
C8
VB
C12
C10
C9
C5
C15
50
output
VCC
L7
L6
L5
R1
L8
R2
C2
C1
50
input
C3
C4
C11
C13
C14
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BLV10 | VHF power transistor |
| BLV11 | VHF power transistor |
| BLV12 | VHF power transistor |
| BLV15BE | WARTUNGSMITTEL BLOC LUBE GRUEN |
| BLV2042 | UHF power transistor |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BLV103(1) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:RF Power Transistors for UHF |
| BLV108 | 制造商:BELLING 制造商全稱:SHANGHAI BELLING CO., LTD. 功能描述:BLV108 |
| BLV11 | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
| BLV12 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:VHF power transistor |
| BLV15BE | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:WARTUNGSMITTEL BLOC LUBE GRUEN |
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