參數(shù)資料
型號： BLF900-110
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Base station LDMOS transistors
中文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： CERAMIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 6/13頁
文件大?。?/td> 137K
代理商： BLF900-110
2004 Feb 04
6
Philips Semiconductors
Product specification
Base station LDMOS transistors
BLF900-110; BLF900S-110
handbook, halfpage
ZI
(
)
0.86
0.87
ri
xi
f (GHz)
0.88
0.9
0.5
1.5
2.5
0.5
0.89
MLE348
Fig.7
Input impedance as a function of frequency
(series components); typical values.
Class-AB operation; V
= 27 V; I
= 700 mA; P
L
= 100 W.
Values comprised for different parameters.
handbook, halfpage
ZL
(
)
0.86
0.87
RI
XL
f (GHz)
0.88
0.9
2.5
1.5
1
2
0.89
MLE349
Fig.8
Input impedance as a function of frequency
(series components); typical values.
Class-AB operation; V
= 27 V; I
= 700 mA; P
L
= 100 W.
Values comprised for different parameters.
24
32
Gp
(dB)
η
D
(%)
ACPR
(dB)
P
out
(dBm)
48
40
30
10
0
20
40
50
70
80
60
40
mle347
ADJ
G
p
ALT
η
D
Fig.9
Single carrier CDMA performance as a
function of output power.
V
= 27 V;I
= 575 mA; f = 881.5 MHz.
Test signal: Single carrier IS-97 CDMA with PAR = 9.5 dB at 0.01 %
(pilot, paging, sync, 6 traffic channels with Walsh codes 8-13).
ADJ at 750 kHz offset in 30 kHz BW;
ALT at 1.98 MHz offset in 30 kHz BW.
handbook, halfpage
MGS998
ZL
drain
gate
ZIN
Fig.10 Definition of transistor impedance.
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PDF描述
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