參數(shù)資料
型號(hào)： BLF900-110
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Base station LDMOS transistors
中文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： CERAMIC PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 4/13頁(yè)
文件大?。?/td> 137K
代理商： BLF900-110
2004 Feb 04
4
Philips Semiconductors
Product specification
Base station LDMOS transistors
BLF900-110; BLF900S-110
APPLICATION INFORMATION
RF performance in a common source class-AB circuit. V
DS
= 27 V; f = 890 MHz; T
h
= 25
°
C; unless otherwise specified.
Note
1.
Refer to RF Gain grouping table.
RF Gain grouping
Notes
1.
2.
0.2 dB overlap is allowed for measurement repeatability.
For 2-tone at f
1
= 890 MHz; f
2
= 890.1 MHz.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Mode of operation: 2-tone CW, 100 kHz spacing, I
DQ
= 700 mA
G
p
η
D
IRL
d
3
power gain
drain efficiency
input return loss
third order intermodulation
distortion
ruggedness
P
L
= 100 W (PEP)
16
35
17
(1)
38
9
33
<
6
27
dB
%
dB
dBc
VSWR = 10 : 1 through all
phases; P
L
= 125 W (PEP)
no degradation in output power
Mode of operation: CDMA, IS95 (pilot, paging, sync and traffic codes 8 to 13), I
DQ
= 575 mA
G
p
η
D
ACPR 750
power gain
drain efficiency
adjacent channel power ratio
P
L
= 24 W (AV)
P
L
= 24 W (AV)
at BW = 30 kHz
15
27
45
dB
%
dBc
CODE
(1)
GAIN
(2)
(dB)
MIN.
MAX.
B
C
D
E
16.0
16.5
17.0
17.5
16.5
17.0
17.5
18.0
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