參數(shù)資料
型號： BFU540
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： NPN SiGe wideband transistor
中文描述： L BAND, SiGe, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC PACKAGE-4
文件頁數(shù)： 9/16頁
文件大?。?/td> 102K
代理商： BFU540
2003 Jun 12
9
Philips Semiconductors
Product specification
NPN SiGe wideband transistor
BFU540
handbook, halfpage
NFmin
(dB)
0
4
20
3
1
0
2
8
IC (mA)
12
16
MLE163
f = 5 GHz
f = 2 GHz
Fig.14 Minimum noise figure as a function of
collector current.
V
CE
= 2 V; T
amb
= 25
°
C.
handbook, halfpage
0
2
1
0
2
6
4
MLE164
f (GHz)
NFmin
(dB)
Fig.15 Minimum noise figure as a function of
frequency.
I
C
= 2 mA; V
CE
= 2 V; T
amb
= 25
°
C.
Noise data:
V
CE
= 2 V; I
C
= 4 mA; T
amb
= 25
°
C; typical values
f
(GHz)
F
min
(dB)
Γ
opt
r
n
(
)
(mag)
(deg)
2
3
4
5
6
7
8
9
1.0
1.2
1.4
1.6
1.7
1.9
2.1
2.3
2.6
2.8
3.0
0.39
0.23
0.11
0.14
0.28
0.41
0.47
0.54
0.62
0.63
0.61
55.9
86.8
142.5
121.0
74.2
52.1
32.6
14.1
3.7
22.7
36.8
0.20
0.15
0.13
0.16
0.27
0.43
0.66
0.91
1.22
1.44
1.65
10
11
12
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BFU550VL 功能描述:RF Transistor NPN 12V 50mA 11GHz 450mW Surface Mount SOT-143B 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:11GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1.3dB @ 1.8GHz 增益:15dB 功率 - 最大值:450mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 15mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-253-4，TO-253AA 供應商器件封裝:SOT-143B 標準包裝:10,000
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