參數(shù)資料
型號(hào)： BFU540
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： NPN SiGe wideband transistor
中文描述： L BAND, SiGe, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC PACKAGE-4
文件頁數(shù)： 3/16頁
文件大?。?/td> 102K
代理商： BFU540
2003 Jun 12
3
Philips Semiconductors
Product specification
NPN SiGe wideband transistor
BFU540
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Note
1.
T
s
is the temperature at the soldering point of the emitter pins.
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
T
stg
T
j
collector-base voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
collector current (DC)
total power dissipation
storage temperature
operating junction temperature
open emitter
open base
open collector
65
9
2.3
2.5
50
115
+150
150
V
V
V
mA
mW
°
C
°
C
T
s
≤
98
°
C; note 1; see Fig.2
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
R
th j-s
thermal resistance from junction to soldering point
450
K/W
handbook, halfpage
0
Ts (
°
C)
100
50
0
40
80
160
120
MLE151
Ptot
(mW)
Fig.2 Power derating curve.
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PDF描述
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參數(shù)描述
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BFU550AVL 功能描述:RF Transistor NPN 12V 50mA 11GHz 450mW Surface Mount SOT-23 (TO-236AB) 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:11GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:1.4dB @ 1.8GHz 增益:12dB 功率 - 最大值:450mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 15mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23（TO-236AB） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000
BFU550R 功能描述:TRANS RF NPN 12V 50MA SOT-143B 制造商:nxp semiconductors 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:11GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:0.7dB @ 900MHz 增益:21dB 功率 - 最大值:450mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 15mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-253-4，TO-253AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-143B 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
BFU550VL 功能描述:RF Transistor NPN 12V 50mA 11GHz 450mW Surface Mount SOT-143B 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:11GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:1.3dB @ 1.8GHz 增益:15dB 功率 - 最大值:450mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 15mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-253-4，TO-253AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-143B 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000
BFU550WF 功能描述:RF Transistor NPN 12V 50mA 11GHz 450mW Surface Mount, Gull Wing SC-70 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:11GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:1.3dB @ 1.8GHz 增益:12dB 功率 - 最大值:450mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 15mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 安裝類型:表面貼裝，鷗翼型 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:SC-70 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000
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