參數(shù)資料
型號: BFU540
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: NPN SiGe wideband transistor
中文描述: L BAND, SiGe, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: PLASTIC PACKAGE-4
文件頁數(shù): 6/16頁
文件大小: 102K
代理商: BFU540
2003 Jun 12
6
Philips Semiconductors
Product specification
NPN SiGe wideband transistor
BFU540
handbook, halfpage
(fF)
160
0
0.5
VCB (V)
1
2
0
1.5
120
80
40
MLE156
Fig.7
Feedback capacitance as a function of
collector-base voltage; typical values.
I
C
= 0; f = 1 MHz; T
amb
= 25
°
C.
handbook, halfpage
ITO
(dBm)
0
5
10
15
20
MLE157
1
10
IC (mA)
10
2
Fig.8
Third order intercept point as a function of
collector current.
V
CE
= 2 V; f = 2 GHz.
handbook, halfpage
PL 1dB
(dBm)
4
0
4
8
MLE158
1
10
10
2
IC (mA)
Fig.9
Output power at 1 dB gain compression as
a function of collector current.
V
CE
= 2 V; f = 2 GHz; source and load tuned for optimum gain.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BGE788 CATV amplifier module
BGE883BO RECTIFIER FAST-RECOVERY SINGLE 1.5A 50V 50A-ifsm 1V-vf 50ns 5uA-ir DO-15 5K/REEL-13
BGF844 GSM800 EDGE power module
BGF944 GSM900 EDGE power module
BGX881 CATV amplifier module
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BFU550AR 功能描述:TRANS RF NPN 12V 50MA TO-236AB 制造商:nxp semiconductors 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):12V 頻率 - 躍遷:11GHz 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):0.6dB @ 900MHz 增益:18dB 功率 - 最大值:450mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):60 @ 15mA,8V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):50mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23(TO-236AB) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
BFU550AVL 功能描述:RF Transistor NPN 12V 50mA 11GHz 450mW Surface Mount SOT-23 (TO-236AB) 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):12V 頻率 - 躍遷:11GHz 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):1.4dB @ 1.8GHz 增益:12dB 功率 - 最大值:450mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):60 @ 15mA,8V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):50mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23(TO-236AB) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000
BFU550R 功能描述:TRANS RF NPN 12V 50MA SOT-143B 制造商:nxp semiconductors 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):12V 頻率 - 躍遷:11GHz 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):0.7dB @ 900MHz 增益:21dB 功率 - 最大值:450mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):60 @ 15mA,8V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):50mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-253-4,TO-253AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-143B 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
BFU550VL 功能描述:RF Transistor NPN 12V 50mA 11GHz 450mW Surface Mount SOT-143B 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):12V 頻率 - 躍遷:11GHz 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):1.3dB @ 1.8GHz 增益:15dB 功率 - 最大值:450mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):60 @ 15mA,8V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):50mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-253-4,TO-253AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-143B 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000
BFU550WF 功能描述:RF Transistor NPN 12V 50mA 11GHz 450mW Surface Mount, Gull Wing SC-70 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):12V 頻率 - 躍遷:11GHz 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):1.3dB @ 1.8GHz 增益:12dB 功率 - 最大值:450mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):60 @ 15mA,8V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):50mA 安裝類型:表面貼裝,鷗翼型 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:SC-70 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000