參數(shù)資料
型號(hào)： BFU540
廠(chǎng)商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： NPN SiGe wideband transistor
中文描述： L BAND, SiGe, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC PACKAGE-4
文件頁(yè)數(shù)： 8/16頁(yè)
文件大?。?/td> 102K
代理商： BFU540
2003 Jun 12
8
Philips Semiconductors
Product specification
NPN SiGe wideband transistor
BFU540
handbook, full pagewidth
MLE161
0.25
0.2
0.15
0.1
0.05
180
°
135
°
90
°
45
°
0
°
45
°
90
°
135
°
10 GHz
1 GHz
40 mA
4 mA
Fig.12 Common emitter reverse transmission coefficient (s
12
).
I
C
= 4 mA and 40 mA; V
CE
= 2 V; Z
o
= 50
.
handbook, full pagewidth
MLE162
0
0.2
0.6
0.4
0.8
1.0
1.0
+
5
+
2
+
1
+
0.5
+
0.2
0
0.2
0.5
1
2
5
0.2
0.5
1 GHz
1 GHz
40 mA
40 MHz
4 mA
5 GHz
10 GHz
2
5
180
°
135
°
90
°
45
°
0
°
45
°
90
°
135
°
2.5 GHz
Fig.13 Common emitter output reflection coefficient (s
22
).
I
C
= 4 mA and 40 mA; V
CE
= 2 V; Z
o
= 50
.
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PDF描述
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參數(shù)描述
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BFU550VL 功能描述:RF Transistor NPN 12V 50mA 11GHz 450mW Surface Mount SOT-143B 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 晶體管類(lèi)型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:11GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:1.3dB @ 1.8GHz 增益:15dB 功率 - 最大值:450mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 15mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-253-4，TO-253AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-143B 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000
BFU550WF 功能描述:RF Transistor NPN 12V 50mA 11GHz 450mW Surface Mount, Gull Wing SC-70 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 晶體管類(lèi)型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:11GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:1.3dB @ 1.8GHz 增益:12dB 功率 - 最大值:450mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 15mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 安裝類(lèi)型:表面貼裝，鷗翼型 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:SC-70 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000
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