參數(shù)資料
型號： BFQ67W
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Silicon NPN Planar RF Transistor
中文描述： 硅NPN平面射頻晶體管
文件頁數(shù)： 8/12頁
文件大?。?/td> 185K
代理商： BFQ67W
BFQ67/BFQ67R/BFQ67W
Vishay Telefunken
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
8 (12)
Rev. 3, 20-Jan-99
Document Number 85022
Typical Characteristics
(T
amb
= 25 C unless otherwise specified)
0
50
100
150
200
250
300
0
20
40
60
80
100 120 140 160
T
amb
– Ambient Temperature (
°
C )
96 12159
P
t
Figure 1. Total Power Dissipation vs.
Ambient Temperature
0
2000
4000
6000
8000
10000
0
10
20
30
40
50
I
C
– Collector Current ( mA )
12867
f
T
V
CE
=8V
f=500MHz
Figure 2. Transition Frequency vs. Collector Current
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
4
8
12
16
20
V
CB
– Collector Base Voltage ( V )
12884
C
c
f=1MHz
Figure 3. Collector Base Capacitance vs.
Collector Base Voltage
0
1
2
3
4
5
0
5
10
15
20
25
I
C
– Collector Current ( mA )
12869
F
f=800MHz
f=2GHz
V
CE
=8V
Z
S
=50
Figure 4. Noise Figure vs. Collector Current
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PDF描述
BFQ81 Silicon NPN Planar RF Transistor
BFQ81 Silicon NPN Planar RF Transistor(集電極電流30mA,射頻放大器應(yīng)用的NPN平面型晶體管)
BFR181T Silicon NPN Planar RF Transistor(集電極電流20mA,低噪高增益放大器應(yīng)用的NPN平面型晶體管)
BFR181TW Silicon NPN Planar RF Transistor
BFR181T Silicon NPN Planar RF Transistor
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參數(shù)描述
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BFQ67W,135 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 Single NPN 10V 50mA 300mW 60 8GHz RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFQ67W115 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR RF NPN 10V 8GHZ
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