參數(shù)資料
型號(hào)： BFQ67W
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Silicon NPN Planar RF Transistor
中文描述： 硅NPN平面射頻晶體管
文件頁數(shù)： 3/12頁
文件大?。?/td> 185K
代理商： BFQ67W
BFQ67/BFQ67R/BFQ67W
Vishay Telefunken
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
Rev. 3, 20-Jan-99
3 (12)
Document Number 85022
Electrical DC Characteristics
T
amb
= 25 C, unless otherwise specified
Parameter
Collector cut-off current
Collector-base cut-off current
Emitter-base cut-off current
Collector-emitter breakdown voltage I
C
= 1 mA, I
B
= 0
Collector-emitter saturation voltage
DC forward current transfer ratio
Test Conditions
Symbol
I
CES
I
CBO
I
EBO
V
(BR)CEO
V
CEsat
h
FE
Min
Typ
Max Unit
100
100
1
V
CE
= 20 V, V
BE
= 0
V
CB
= 15 V, I
E
= 0
V
EB
= 1 V, I
C
= 0
A
nA
A
V
V
10
I
C
= 50 mA, I
B
= 5 mA
V
CE
= 5 V, I
C
= 15 mA
0.1
100
0.4
150
65
Electrical AC Characteristics
T
amb
= 25 C, unless otherwise specified
Parameter
Test Conditions
Symbol
f
T
C
cb
C
ce
C
eb
F
Min
Typ
7.5
0.4
0.2
0.85
0.8
Max
Unit
GHz
pF
pF
pF
dB
Transition frequency
Collector-base capacitance
Collector-emitter capacitance
Emitter-base capacitance
Noise figure
V
CE
= 8 V, I
C
= 15 mA, f = 500 MHz
V
CB
= 10 V, f = 1 MHz
V
CE
= 8 V, f = 1 MHz
V
EB
= 0.5 V, f = 1 MHz
V
CE
= 8 V, Z
S
= Z
Sopt
, f = 800 MHz,
I
C
= 5 mA
V
CE
= 8 V, Z
S
= Z
Sopt
, f = 800 MHz,
I
C
= 15 mA
V
CE
= 8 V, Z
S
= 50 , f = 2 GHz,
I
C
= 5 mA
V
CE
= 8 V, Z
S
= 50 , f = 2 GHz,
I
C
= 15 mA
V
CE
= 8 V, Z
S
= 50 , Z
L
= Z
Lopt
,
I
C
= 15 mA, f = 800 MHz
V
CE
= 8 V, Z
S
= 50 , Z
L
= Z
Lopt
,
I
C
= 15 mA, f = 2 GHz
V
CE
= 8 V, I
C
= 15 mA, d
IM
= 60 dB,
f
1
= 806 MHz, f
2
= 810 MHz,
Z
S
= Z
L
= 50
V
CE
= 8 V, I
C
= 15 mA, f = 800 MHz
F
1.5
dB
F
2.5
dB
F
3.0
dB
Power gain
G
pe
15.5
dB
G
pe
8
dB
Linear output voltage – two
tone intermodulation test
V
1
= V
2
160
mV
Third order intercept point
IP
3
26
dBm
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BFQ81 Silicon NPN Planar RF Transistor
BFQ81 Silicon NPN Planar RF Transistor(集電極電流30mA,射頻放大器應(yīng)用的NPN平面型晶體管)
BFR181T Silicon NPN Planar RF Transistor(集電極電流20mA,低噪高增益放大器應(yīng)用的NPN平面型晶體管)
BFR181TW Silicon NPN Planar RF Transistor
BFR181T Silicon NPN Planar RF Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BFQ67W,115 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN 10V 50mA 8GHZ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFQ67W,135 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 Single NPN 10V 50mA 300mW 60 8GHz RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFQ67W115 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR RF NPN 10V 8GHZ
BFQ67WT/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SOT-323
BFQ68 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN RF SOT-122A
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