參數(shù)資料
型號(hào)： BFQ67W
廠(chǎng)商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Silicon NPN Planar RF Transistor
中文描述： 硅NPN平面射頻晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 2/12頁(yè)
文件大?。?/td> 185K
代理商： BFQ67W
BFQ67/BFQ67R/BFQ67W
Vishay Telefunken
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
2 (12)
Rev. 3, 20-Jan-99
Document Number 85022
Absolute Maximum Ratings
T
amb
= 25 C, unless otherwise specified
Parameter
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Total power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Test Conditions
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
T
j
T
stg
Value
20
10
2.5
50
200
150
Unit
V
V
V
mA
mW
C
C
T
amb
≤
60 C
–65 to +150
Maximum Thermal Resistance
T
amb
= 25 C, unless otherwise specified
Parameter
Junction ambient
on glass fibre printed board (25 x 20 x 1.5) mm
3
plated with 35 m Cu
Test Conditions
Symbol
R
thJA
Value
450
Unit
K/W
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BFQ81 Silicon NPN Planar RF Transistor
BFQ81 Silicon NPN Planar RF Transistor(集電極電流30mA,射頻放大器應(yīng)用的NPN平面型晶體管)
BFR181T Silicon NPN Planar RF Transistor(集電極電流20mA,低噪高增益放大器應(yīng)用的NPN平面型晶體管)
BFR181TW Silicon NPN Planar RF Transistor
BFR181T Silicon NPN Planar RF Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BFQ67W,115 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN 10V 50mA 8GHZ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFQ67W,135 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 Single NPN 10V 50mA 300mW 60 8GHz RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFQ67W115 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR RF NPN 10V 8GHZ
BFQ67WT/R 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SOT-323
BFQ68 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN RF SOT-122A
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