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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BFG67XR |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | NPN 8GHz wideband transistor(NPN 8G赫茲 寬帶晶體管) |
| 中文描述： | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數(shù)： | 3/16頁 |
| 文件大?。?/td> | 133K |
| 代理商： | BFG67XR |
1998 Oct 02
3
Philips Semiconductors
Product specification
NPN 8 GHz wideband transistors
BFG67; BFG67/X; BFG67/XR
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
Note
1.
T
s
is the temperature at the soldering point of the collector pin.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
T
stg
T
j
collector-base voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
collector current (DC)
total power dissipation
storage temperature range
junction temperature
open emitter
open base
open collector
65
20
10
2.5
50
380
150
175
V
V
V
mA
mW
°
C
°
C
T
s
≤
65
°
C; see Fig.3; note 1
Fig.3 Power derating curve.
handbook, halfpage
Ptot
(mW)
0
50
100
200
300
100
0
200
MBC984 - 1
150
Ts(
o
C)
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
T
s
is the temperature at the soldering point of the collector pin.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-s
thermal resistance from junction to soldering point
note 1
290
K/W
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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