參數(shù)資料
型號(hào): BFG520XR
廠商: NXP Semiconductors N.V.
英文描述: NPN 9GHz wideband transistor(NPN 9G赫茲 寬帶晶體管)
中文描述: 叩9GHz寬帶晶體管(npn型9G章赫茲寬帶晶體管)
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代理商: BFG520XR
September 1995
5
Philips Semiconductors
Product specification
NPN 9 GHz wideband transistor
BFG520; BFG520/X; BFG520/XR
Fig.3 Power derating curve.
handbook, halfpage
Ptot
(mW)
0
50
100
200
300
100
0
200
150
MRA670-1
Ts (oC)
Fig.4
DC current gain as a function of collector
current.
V
CE
= 6 V; T
j
= 25
°
C.
handbook, halfpage
hFE
0
10
2
50
100
150
200
MRA671
10
1
1
10
10
2
IC (mA)
Fig.5
Feedback capacitance as a function of
collector-base voltage.
I
C
= 0; f = 1 MHz.
handbook, halfpage
0
0.4
0.2
0
4
8
12
MRA672
Cre
(pF)
VCB (V)
Fig.6
Transition frequency as a function of
collector current.
f = 1 GHz; T
amb
= 25
°
C.
handbook, halfpage
0
10
1
4
8
fT
(GHz)
IC (mA)
MRA673
1
10
10
2
VCE = 3 V
VCE = 6 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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BFG540,215 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 TAPE7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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