參數(shù)資料
型號(hào)： BFG520XR
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： NPN 9GHz wideband transistor(NPN 9G赫茲 寬帶晶體管)
中文描述： 叩9GHz寬帶晶體管（npn型9G章赫茲寬帶晶體管）
文件頁(yè)數(shù)： 10/13頁(yè)
文件大小： 146K
代理商： BFG520XR
September 1995
10
Philips Semiconductors
Product specification
NPN 9 GHz wideband transistor
BFG520; BFG520/X; BFG520/XR
Fig.19 Common emitter reverse transmission coefficient (S
12
).
I
C
= 20 mA; V
CE
= 6 V.
handbook, full pagewidth
MRA680
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
180
°
90
°
135
°
45
°
0
°
45
°
90
°
135
°
3 GHz
40 MHz
Fig.20 Common emitter output reflection coefficient (S
22
).
I
C
= 20 mA; V
CE
= 6 V.
Z
o
= 50
.
handbook, full pagewidth
MRA681
0
0.2
0.6
0.4
0.8
1.0
1.0
5
2
1
0.5
0.2
0
0.2
0.5
1
2
5
0.2
0.5
1
2
5
180
°
135
°
90
°
45
°
0
°
45
°
90
°
135
°
3 GHz
40 MHz
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BFG621 Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode
BFG67W NPN 8 GHz wideband transistor
BFG67X NPN 8GHz wideband transistor(NPN 8G赫茲 寬帶晶體管)
BFG67XR NPN 8GHz wideband transistor(NPN 8G赫茲 寬帶晶體管)
BFG93X NPN 6 GHz wideband transistors(NPN 6G赫茲 寬帶晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BFG540 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 9 GHz wideband transistor
BFG540 T/R 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 TAPE7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFG540,215 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 TAPE7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFG540/T1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR UHF BIPOLAR BREITBAND
BFG540/X 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:NPN bipolar RF BFG540/X 9GHz
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