參數(shù)資料
型號： BFG520XR
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： NPN 9GHz wideband transistor(NPN 9G赫茲 寬帶晶體管)
中文描述： 叩9GHz寬帶晶體管（npn型9G章赫茲寬帶晶體管）
文件頁數(shù)： 3/13頁
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代理商： BFG520XR
September 1995
3
Philips Semiconductors
Product specification
NPN 9 GHz wideband transistor
BFG520; BFG520/X; BFG520/XR
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).
THERMAL RESISTANCE
Note
1.
T
s
is the temperature at the soldering point of the collector tab.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
T
stg
T
j
collector-base voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
DC collector current
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
open emitter
open base
open collector
65
20
15
2.5
70
300
150
175
V
V
V
mA
mW
°
C
°
C
up to T
s
= 88
°
C; note 1
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
up to T
s
= 88
°
C; note 1
THERMAL RESISTANCE
R
th j-s
thermal resistance from junction to
soldering point
290 K/W
相關PDF資料
PDF描述
BFG621 Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode
BFG67W NPN 8 GHz wideband transistor
BFG67X NPN 8GHz wideband transistor(NPN 8G赫茲 寬帶晶體管)
BFG67XR NPN 8GHz wideband transistor(NPN 8G赫茲 寬帶晶體管)
BFG93X NPN 6 GHz wideband transistors(NPN 6G赫茲 寬帶晶體管)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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BFG540,215 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TAPE7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFG540/T1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR UHF BIPOLAR BREITBAND
BFG540/X 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:NPN bipolar RF BFG540/X 9GHz
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