- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄385126 > BCM856DS (NXP Semiconductors N.V.) PNP-PNP matched double transistors PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | BCM856DS |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | PNP-PNP matched double transistors |
| 中文描述： | PNP-PNP 匹配雙晶體管 |
| 封裝： | BCM856BS<SOT363 (TSSOP6)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT363.html<1<Always Pb-free,;BCM856DS<SOT457 (TSOP6)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT457.html<1<Always Pb-f |
| 文件頁數(shù)： | 6/14頁 |
| 文件大?。?/td> | 104K |
| 代理商： | BCM856DS |
BCM856BS_BCM856DS_1
NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 7 August 2008
6 of 14
NXP Semiconductors
BCM856BS; BCM856DS
PNP/PNP matched double transistors
T
amb
= 25
°
C
V
CE
=
5 V
(1) T
amb
= 100
°
C
(2) T
amb
= 25
°
C
(3) T
amb
=
55
°
C
Fig 2.
DC current gain as a function of collector
current; typical values
Fig 1.
Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values
I
C
/I
B
= 20
(1) T
amb
=
55
°
C
(2) T
amb
= 25
°
C
(3) T
amb
= 100
°
C
Fig 3.
Base-emitter saturation voltage as a function
of collector current; typical values
I
C
/I
B
= 20
(1) T
amb
= 100
°
C
(2) T
amb
= 25
°
C
(3) T
amb
=
55
°
C
Fig 4.
Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
006aaa540
V
CE
(V)
0
10
8
4
6
2
0.08
0.12
0.04
0.16
0.20
I
C
(A)
0
0.25
I
B
(mA) =
2.5
0.5
0.75
1.0
1.25
1.5
1.75
2.0
2.25
006aaa541
200
400
600
h
FE
0
10
2
I
C
(mA)
10
3
10
2
10
1
10
1
(1)
(2)
(3)
006aaa542
I
C
(mA)
10
1
10
3
10
2
1
10
0.5
0.9
1.3
0.3
0.7
1.1
V
BEsat
(V)
0.1
(1)
(2)
(3)
006aaa543
1
10
1
10
V
CEsat
(V)
10
2
I
C
(mA)
10
1
10
3
10
2
1
10
(1)
(2)
(3)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BCP28 | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| BCP48 | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| BCP29 | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| BCP49 | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| BCP52 | |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BCM856DS,115 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT COMPLEX DISCRETE S2023D/SOT45 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCM856DS/DG | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PNP/PNP matched double transistors |
| BCM856S | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Transistor Array PNP AF 65V 100mA SOT363 |
| BCM856S_07 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:PNP Silicon AF Transistor Array |
| BCM856SE6327BTSA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:TRANS ARR 2PNP 65V 100MA SOT363 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。