參數(shù)資料
型號： BAX12
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： Controlled avalanche diode
中文描述： 0.4 A, 90 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
封裝： PLASTIC, SC-40, 2 PIN
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大小： 39K
代理商： BAX12
1996 Sep 17
4
Philips Semiconductors
Product specification
Controlled avalanche diode
BAX12
GRAPHICAL DATA
Fig.2
Maximum permissible continuous forward
current as a function of ambient
temperature.
handbook, halfpage
(mA)
0
100
200
400
300
200
0
100
MBG455
Tamb (
o
C)
Device mounted on an FR4 printed-circuit board; lead length 10 mm.
Fig.3
Forward current as a function of forward
voltage.
handbook, halfpage
0
1
2
0
200
400
MBG463
VF (V)
IF
(mA)
(1)
(2)
(3)
(1) T
j
= 175
°
C; typical values.
(2) T
j
= 25
°
C; typical values.
(3) T
j
= 25
°
C; maximum values.
Fig.4 Maximum permissible non-repetitive peak forward current as a function of pulse duration.
Based on square wave currents.
T
j
= 25
°
C prior to surge.
handbook, full pagewidth
MBG702
10
tp (
μ
s)
1
IFSM
(A)
2
10
1
10
4
10
2
10
3
10
1
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