參數(shù)資料
型號(hào)： BAS21H
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： Single high-voltage switching diode
封裝： BAS21H<SOD123F (SOD123F)|<<http://www.nxp.com/packages/SOD123F.html<1<Always Pb-free,;
文件頁(yè)數(shù)： 8/10頁(yè)
文件大?。?/td> 64K
代理商： BAS21H
BAS21H_2
NXP B.V. 2006. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 02 — 3 November
8 of 10
NXP Semiconductors
BAS21H
Single high-voltage switching diode
13. Revision history
Table 9.
Document ID
BAS21H_2
Modifications:
Revision history
Release date
20061103
The format of this data sheet has been redesigned to comply with the new identity
guidelines of NXP Semiconductors.
Legal texts have been adapted to the new company name where appropriate.
Section 1.1 “General description”
: amended
Table 1 “Quick reference data”
: I
F
forward current table note added
Table 5 “Limiting values”
: I
F
forward current table note added
Table 5 “Limiting values”
: I
FRM
repetitive peak forward current condition amended
Table 5 “Limiting values”
: I
FSM
non-repetitive peak forward current condition amended
Table 6
: R
th(j-sp)
thermal resistance from junction to solder point table note added
Table 7 “Characteristics”
: V
F
forward voltage unit amended
Figure 2
: figure title and figure note amended
Figure 3
: amended
Section 12 “Mounting”
: added
Section 14.4 “Trademarks”
: added
20050411
Product data sheet
Data sheet status
Product data sheet
Change notice
-
Supersedes
BAS21H_1
BAS21H_1
-
-
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BAS21T-7-F SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE
BAS21T SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE
BAS21T-7 SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE
BAS21VD High-voltage switching diodes
BAS281 Schottky Barrier Diodes
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BAS21H T/R 功能描述:二極管 - 通用，功率，開(kāi)關(guān) DIODE SW TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時(shí)間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
BAS21H,115 功能描述:二極管 - 通用，功率，開(kāi)關(guān) DIODE SW TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時(shí)間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
BAS21H115 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
BAS21-HE3-08 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述: 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:BAS21-HE3-08 - Cut TR (SOS) 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:SWITCHING DIODE GENPURP SOT23
BAS21-HE3-18 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:BAS21-HE3-18 - Cut TR (SOS) 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:SWITCHING DIODE GENPURP SOT23
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