參數(shù)資料
型號(hào)： BAS21H
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： Single high-voltage switching diode
封裝： BAS21H<SOD123F (SOD123F)|<<http://www.nxp.com/packages/SOD123F.html<1<Always Pb-free,;
文件頁數(shù)： 3/10頁
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代理商： BAS21H
BAS21H_2
NXP B.V. 2006. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 02 — 3 November
3 of 10
NXP Semiconductors
BAS21H
Single high-voltage switching diode
5.
Limiting values
[1]
Pulse test: t
p
≤
300
μ
s;
δ ≤
0.02.
T
j
= 25
°
C prior to surge.
Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated and standard
footprint.
[2]
[3]
6.
Thermal characteristics
[1]
Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated and standard footprint.
[2]
Reflow soldering is the only recommended soldering method.
[3]
Soldering point of cathode tab.
Table 5.
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
V
RRM
repetitive peak reverse
voltage
V
R
reverse voltage
I
F
forward current
I
FRM
repetitive peak forward
current
I
FSM
non-repetitive peak forward
current
Limiting values
Conditions
Min
-
Max
250
Unit
V
-
200
200
625
V
mA
mA
[1]
-
t
p
= 1 ms;
δ
= 0.25
square wave
t
p
= 1
μ
s
t
p
= 100
μ
s
t
p
= 10 ms
T
amb
≤
25
°
C
-
[2]
-
-
-
9
3
1.7
375
150
+150
+150
A
A
A
mW
°
C
°
C
°
C
P
tot
T
j
T
amb
T
stg
total power dissipation
junction temperature
ambient temperature
storage temperature
[3]
-
-
65
65
Table 6.
Symbol
R
th(j-a)
Thermal characteristics
Parameter
thermal resistance from
junction to ambient
thermal resistance from
junction to solder point
Conditions
in free air
Min
Typ
-
Max
330
Unit
K/W
[1][2]
-
R
th(j-sp)
[3]
-
-
70
K/W
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BAS21T-7-F SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE
BAS21T SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE
BAS21T-7 SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE
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BAS281 Schottky Barrier Diodes
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參數(shù)描述
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