參數(shù)資料
型號： BAS21H
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： Single high-voltage switching diode
封裝： BAS21H<SOD123F (SOD123F)|<<http://www.nxp.com/packages/SOD123F.html<1<Always Pb-free,;
文件頁數(shù)： 6/10頁
文件大?。?/td> 64K
代理商： BAS21H
BAS21H_2
NXP B.V. 2006. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 02 — 3 November
6 of 10
NXP Semiconductors
BAS21H
Single high-voltage switching diode
8.
Test information
9.
Package outline
10. Packing information
[1]
For further information and the availability of packing methods, see
Section 15
.
(1) I
R
= 3 mA
Fig 5.
Reverse recovery time test circuit and waveforms
trr
(1)
+
I
F
t
output signal
t
r
t
p
t
10 %
90 %
V
R
input signal
V = V
R
+
I
F
×
R
S
R
S
= 50
I
F
D.U.T.
R
i
= 50
SAMPLING
OSCILLOSCOPE
mga881
Fig 6.
Package outline SOD123F
04-11-29
Dimensions in mm
1.2
1.0
0.25
0.10
3.6
3.4
2.7
2.5
0.55
0.35
0.70
0.55
1.7
1.5
1
2
Table 8.
The indicated -xxx are the last three digits of the 12NC ordering code.
[1]
Type number
Package
Description
Packing methods
Packing quantity
3000
-115
10000
-135
BAS21H
SOD123F
4 mm pitch, 8 mm tape and reel
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BAS21T-7-F SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE
BAS21T SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE
BAS21T-7 SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE
BAS21VD High-voltage switching diodes
BAS281 Schottky Barrier Diodes
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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BAS21H,115 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關(guān) DIODE SW TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時(shí)間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
BAS21H115 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
BAS21-HE3-08 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述: 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:BAS21-HE3-08 - Cut TR (SOS) 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:SWITCHING DIODE GENPURP SOT23
BAS21-HE3-18 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:BAS21-HE3-18 - Cut TR (SOS) 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:SWITCHING DIODE GENPURP SOT23
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